大尺寸晶片切割方法及其设备技术

技术编号:4198587 阅读:223 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术有关一种大尺寸晶片切割方法及其设备,是通过减少晶片移动次数以避免移动过程中的晶片损坏。晶片加载一工作载台即可进行各项程序,并通过将工作载台移动至工艺装置处或将工艺装置移动至工作载台来完成各项程序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种大尺寸晶片切割方法及其装置,特别是晶片尺寸大于30.48 厘米(12吋)的晶片切割方法及其装置。
技术介绍
当晶片在前段工序完成之后,便进入到封装工序,将芯片由晶片上切割下来再 做封装。晶片切割的目的是要将前段工序加工所完成晶片上一个个的芯片切割分 离。 一般会先将晶片送至研磨机台对晶片进行背面研磨(backside grinding)至 适当厚度,接着作晶片上胶(wafer mount)程序,再将晶片送至晶片切割机上进 行切割(wafer cut)。于封装工序中,多是以晶片型式送至各工艺设备进行作业。然而,随着晶片尺寸不断增大,其结构强度会变弱,移动中晶片稍微的翘曲都 可能造成断裂,因此工艺中如何移动大尺寸晶片将是一个急需克服的问题。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术目的之一是提供大尺寸晶片切割方法及其设备,通 过减少晶片移动次数以避免移动过程中的晶片损坏。本专利技术目的之一是提供大尺寸晶片切割方法及其设备,晶片加载一工作载台即 可进行各项程序,可通过将工作载台移动至工艺装置处或将工艺装置移动至工作载 台来完成各项程序。为了达到上述目的,根据本专利技术一方面的大尺寸晶片切割方法,包括下列步骤 加载一晶片于一工作载台,其中晶片的主动面是朝上且晶片尺寸大于30. 48厘米; 贴附一背部研磨胶带于晶片的主动面上;于工作载台对晶片的背面进行一研磨程序;贴附一保护膜于晶片的背面;移除晶片主动面的背部研磨胶带;以及于工作载 台切割晶片的主动面以获得多个芯片。根据本专利技术另一方面的大尺寸晶片切割设备,其包括 一工作载台,放弃用以 承载一晶片,其中工作载台承载的晶片尺寸大于30.48厘米; 一第一贴胶装置,其用以移动至工作载台以贴附一背部研磨胶带于晶片的主动面上; 一研磨装置,其用 以移动至工作载台对晶片的背面进行一研磨程序; 一第二贴胶装置,其用以移动至 工作载台以贴附一保护膜于晶片的背面; 一除膜装置,其用以移动至工作载台以移 除晶片主动面的背部研磨胶带;以及一切割装置,其用以移动至工作载台以切割晶 片的主动面以获得多个芯片。根据本专利技术又一方面的大尺寸晶片切割设备,其包括 一工作载台,其用以承载一晶片,其中工作载台承载的晶片尺寸大于30.48厘米; 一传输装置,其用以移动工作载台; 一第一贴胶装置,其中工作载台移动至第一贴胶装置处以贴附一背部 研磨胶带于晶片的主动面上; 一研磨装置,其中工作载台移动至研磨装置处以对晶 片的背面进行一研磨程序; 一第二贴胶装置,其中工作载台移动至第二贴胶装置处 以贴附一保护膜于晶片的背面; 一除膜装置,其中工作载台移动至除膜装置以移除 晶片主动面的背部研磨胶带;以及一切割装置,其中工作载台移动至切割装置处以 切割晶片的主动面以获得多个芯片。附图说明图1所示为根据本专利技术一实施例的流程示意图。 图2所示为根据本专利技术一实施例的示意图。 图3所示为根据本专利技术一实施例的示意图。 图4所示为根据本专利技术一实施例的示意图。 图5所示为根据本专利技术一实施例的示意图。具体实施例方式图l所示为根据本专利技术一实施例晶片切割方法的流程示意图。于本实施例中, 首先加载一晶片于工作载台(S10)。其中,晶片的主动面是朝上且此晶片尺寸是 大于30.48厘米(12吋),例如45.72厘米(18吋)晶片。接着,贴附一背部研磨胶 带(backside grinding tape)于晶片的主动面上(S20,贴胶程序,taping)。 之后,翻转晶片使晶片背面朝上(S30,翻转程序)并于工作载台对晶片的背面进 行一研磨程序(S40,研磨程序,grinding)。研磨后,将贴附一保护膜(protective film)于晶片的背面(S50,贴胶程序)。接着,再次翻转晶片使晶片的主动面朝 上(S60,翻转程序)。移除晶片的主动面上的背部研磨胶带(S70,除膜程序, stri卯ing)。然后,于工作载台上切割晶片的主动面以获得多个芯片(S80,切程序,cutting)。于本专利技术中,直到获得多个芯片后,晶片始终承载于工作载台 上,无须移至不同工艺装置处。接续上述说明,于一实施例中,于研磨程序中,可将一研磨装置移动于工作载 台位置或是将工作载台移动至一研磨装置处进行研磨的程序。同样的,于贴胶程序 中,可将一贴胶装置移动于工作载台位置或是将工作载台移动至一贴胶装置处进行 背部研磨胶带或是保护膜的贴胶程序。另外,于切割程序中,可将一切割装置移动 至工作载台位置或将工作载台移动至一切割装置处进行切割程序。请参照图2所示,于的一实施例中,本专利技术大尺寸晶片切割设备包括 一工作 载台(working susceptor) 10; ——第——贝占胶装置(taping device) 20;——研磨装 置(grinding device) 40; —第二贴胶装置50; —除膜装置(film-stripping device) 60;以及一切割装置(cutting device) 70。接续上述说明,工作载台IO是用来承载一晶片,其中工作载台承载的晶片尺 寸大于30. 48厘米。第一贴胶装置20是用来移动至工作载台10以进行贴附一背部 研磨胶带于晶片的主动面。于一实施例中,还包括一晶片翻转装置30用以翻转晶 片使其主动面朝下。研磨装置40会移动至工作载台10对晶片的背面进行一研磨程 序。第二贴胶装置50会移动至工作载台10进行贴附一保护膜于晶片的背面。之后, 晶片会再度翻转使其主动面朝上。除膜装置60移动至工作载台10进行移除晶片主 动面的背部研磨胶带。最后进行切割,切割装置70移动至工作载台IO进行切割晶 片的主动面以获得多个芯片。若设备可克服无须翻转晶片即可进行贴膜、研磨或切割作业,本专利技术中并不限 定一定要使用晶片翻转装置30。另外,本专利技术可利用机械手将第一贴胶装置20、 晶片翻转装置30、研磨装置40、第二贴胶装置50、除膜装置60以及切割装置70 移动至工作载台10以进行晶片各项程序。另外,亦可依照需求增设其它装置80 以机械手移动至工作载台IO进行相关作业。继续,于一实施例中,工作载台IO可置至于一传输装置上用来将工作载台移 动至各个装置处进行相关晶片切割程序。此传输装置可为一旋转盘12 (turn table),如图3所示。工作载台10设置于旋转盘12上移动至不同装置处。如此, 本专利技术大尺寸晶片切割设备可以进行连续切割作业并提升产品产能。于一实施例 中,此传输装置亦可为一履带12',而其它装置,如第一贴胶装置20、晶片翻转 装置30、研磨装置40、第二贴胶装置50、除膜装置60以及切割装置70,可以连 续直列式(in-line)设置或群聚式串联(cluster)设置,如图4与图5所示。另外,可以理解的是于本专利技术中,在进行各项程序时,应有适当的隔离与清除方式以 避免过程中产生残余物污染后续作业。综合上述,本专利技术是通过减少晶片移动次数以避免移动过程中的晶片损坏。晶 片加载一工作载台即可进行各项程序,可通过将工作载台移动至工艺装置处或将工 艺装置移动至工作载台来完成各项程序。以上所述的实施例仅是说明本专利技术的技术思想及特点,其目的在使熟悉此项技 术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施,当不能以其限定本专利技术的专利范围, 即凡是根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大尺寸晶片切割方法,包含下列步骤: 加载一晶片于一工作载台,其中该晶片的主动面是朝上且该晶片尺寸大于30.48厘米; 贴附一背部研磨胶带于该晶片的主动面上; 于该工作载台对该晶片的背面进行一研磨程序; 贴附一保护 膜于该晶片的背面; 移除该晶片主动面的该背部研磨胶带;以及 于该工作载台切割该晶片的主动面以获得多个芯片。

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸晶片切割方法,包含下列步骤加载一晶片于一工作载台,其中该晶片的主动面是朝上且该晶片尺寸大于30.48厘米;贴附一背部研磨胶带于该晶片的主动面上;于该工作载台对该晶片的背面进行一研磨程序;贴附一保护膜于该晶片的背面;移除该晶片主动面的该背部研磨胶带;以及于该工作载台切割该晶片的主动面以获得多个芯片。2. 根据权利要求1所述的大尺寸晶片切割方法,其特征在于还包含移动一研磨 装置于该工作载台位置或移动该工作载台至一研磨装置处进行该研磨程序的步骤。3. 根据权利要求1所述的大尺寸晶片切割方法,其特征在于还包含移动一切割 装置于该工作载台位置或移动该工作载台至一切割装置处进行该切割程序的步骤。4. 根据权利要求1所述的大尺寸晶片切割方法,其特征在于还包含移动一贴胶 装置于该工作载台位置或移动该工作载台至一贴胶装置处进行该背部研磨胶带的 贴胶程序的步骤。5. 根据权利要求1所述的大尺寸晶片切割方法,其特征在于还包含移动一贴胶 装置于该工作载台位置或移动该工作载台至一贴胶装置处进行该保护膜的贴胶程 序的步骤。6. 根据权利要求1所述的大尺寸晶片切割方法,其特征在于于该研磨程序前, 还包含翻转该晶片使该晶片背面朝上的步骤。7. 根据权利要求6所述的大尺寸晶片切割方法,其特征在于于移除该背部研磨 胶带前,还包含翻转该晶片使该晶片的主动面朝上的步骤。8. —种大尺寸晶片切割设备,其包含一工作载台,其用以承载一晶片,其中该工作载台承载的该晶片尺寸大于 30.48厘米;一第一贴胶装置,其用以移动至该工作载台以贴附一背部研磨胶带于该晶片的 主动面上;一...

【专利技术属性】
技术研发人员:方立志刘俊贤
申请(专利权)人:力成科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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