扇出型封装结构及其制造方法技术

本申请公开了一种扇出型封装结构及其制造方法。扇出型封装结构包括：上重布线层、晶粒、无源元件和有源元件。上重布线层包含第一面和相对所述第一面的第二面。晶粒设置在所述上重布线层的所述第一面上且与所述上重布线层电连接。无源元件设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接。有源元件设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接，其中所述有源元件与所述无源元件横向地相邻，以及所述晶粒通过所述上重布线层与所述有源元件和所述无源元件电连接。本申请通过无源元件的设置，使得可在不增加封装尺寸的前提下实现多个元件之间的电连接。连接。连接。

【技术实现步骤摘要】
扇出型封装结构及其制造方法


[0001]本申请涉及一种半导体领域，特别是关于一种扇出型封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的快速发展，对于封装结构轻薄化的需求逐渐提升。目前，先进封装主要有两种发展方向，一是减少封装面积，使其接近芯片大小，另一种则是将多个芯片整合在同一封装内，增加封装内部整合程度。因此，对于多芯片的封装结构，如何在不增加封装宽度的前提下实现多个元件之间的电连接，为目前产业界研究的焦点和需解决的技术问题。
[0003]有鉴于此，本申请提供一种扇出型封装结构及其制造方法，以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述现有技术的问题，本申请提供一种扇出型封装结构及其制造方法，在不增加封装尺寸的前提下实现多个元件之间的电连接。
[0005]在一方面，本申请提供一种扇出型封装结构，包括：上重布线层、晶粒、无源元件和有源元件。上重布线层包含第一面和相对所述第一面的第二面。晶粒设置在所述上重布线层的所述第一面上且与所述上重布线层电连接。无源元件设置在所述上重布线层的所述第二面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：上重布线层，包含第一面和相对所述第一面的第二面；晶粒设置在所述上重布线层的所述第一面上且与所述上重布线层电连接；无源元件，设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接；以及有源元件，设置在所述上重布线层的所述第二面上且与所述上重布线层电连接，其中所述有源元件与所述无源元件横向相邻，以及所述晶粒通过所述上重布线层与所述有源元件和所述无源元件电连接。2.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述有源元件在所述上重布线层上的正投影与所述晶粒在所述上重布线层上的正投影部分重叠，以及所述无源元件在所述上重布线层上的正投影与所述晶粒在所述上重布线层上的所述正投影重叠。3.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述上重布线层包含：第一连接垫，形成在所述第一面，配置为与所述晶粒连接；多个第二连接垫，形成在所述第二面，配置为与所述无源元件连接；第三连接垫，形成在所述第二面，配置为与所述有源元件连接；第一导线，形成在所述上重布线层内，配置为纵向连接所述第一连接垫和所述多个第二连接垫的其中之一；第二导线，形成在所述上重布线层内，配置为横向连接所述多个第二连接垫的其中之一和所述第三连接垫。4.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构还包含：第一绝缘层，设置所述上重布线层的所述第二面上，配置为封装所述无源元件和所述有源元件；以及第二绝缘层，设置在所述晶粒和所述上重布线层上，配置为封装所述晶粒，其中所述第二绝缘层包含开口，且所述晶粒的表面通过所述开口曝露在外部。5.如权利要求1所述的扇出型封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佩君，徐宏欣，廖敬伟，张简上煜，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：