一种二极管封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种二极管封装结构，涉及二极管封装技术领域，该结构包括：壳体；二极管芯片，所述二极管芯片设置于所述壳体内部；第一端子，所述第一端子与所述二极管芯片的第一电极连接；第二端子和金属结构，所述金属结构的一端连接所述二极管芯片的第二电极，所述金属结构的另一端连接所述第二端子；所述金属结构的宽度大于宽度阈值；宽度大于宽度阈值的金属结构替代细导线，有效地增加了二极管芯片电极至端子之间的导电性，降低了老化速度，从而提高二极管封装结构内部导线的导电性能。而提高二极管封装结构内部导线的导电性能。而提高二极管封装结构内部导线的导电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种二极管封装结构


[0001]本技术涉及二极管封装
，特别涉及一种二极管封装结构。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断进步，越来越多的电子设备被广泛应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。
[0003]电子设备的电路中，功率半导体二极管是非常重要的电子元件，为了对功率半导体二极管进行保护，也为了便于功率半导体二极管与其他元器件进行互联，一般需要通过封装结构对功率半导体二极管进行封装保护；现有的对功率半导体二极管的封装结构通常是通过细导线将功率半导体二极管的电极与外部引脚相连，然后通过塑封料对其塑封形成塑料包裹；功率半导体二极管在工作时会产生大量的热，使其自身温度上升较高，会加快内部导线的老化速度，导致二极管封装结构内部导线的导电性能降低。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种二极管封装结构，以解决功率半导体二极管在工作时会产生大量的热，使其自身温度上升较高，会加快内部导线的老化速度，导致二极管封装结构内部导线的导电性能降低的问题。
[0005]基于上述技术问题，本技术实施例提供一种二极管封装结构，包括：
[0006]壳体；
[0007]二极管芯片，所述二极管芯片设置于所述壳体内部；
[0008]第一端子，所述第一端子与所述二极管芯片的第一电极连接；
[0009]第二端子和金属结构，所述金属结构的一端连接所述二极管芯片的第二电极，所述金属结构的另一端连接所述第二端子；所述金属结构的宽度大于宽度阈值。
[0010]上述方案具有以下有益效果：
[0011]本技术的二极管封装结构，通过宽度大于宽度阈值的金属结构将二极管的电极与端子相连，然后将二极管芯片和金属结构封装于壳体内，宽度大于宽度阈值的金属结构替代细导线，有效地增加了二极管芯片电极至端子之间的导电性，降低了老化速度，从而提高二极管封装结构内部导线的导电性能。
[0012]可选的，所述二极管封装结构还包括：
[0013]密封盖板，所述密封盖板密封焊接于所述壳体的开口上。
[0014]可选的，所述二极管封装结构还包括：
[0015]芯片基岛，所述芯片基岛设置于所述壳体的底部，所述二极管芯片设置于所述芯片基岛上，所述二极管芯片的第一电极与所述芯片基岛连接。
[0016]可选的，所述二极管封装结构还包括：
[0017]第一金属层，所述第一金属层焊接于所述二极管芯片的第一电极和所述芯片基岛
之间。
[0018]可选的，所述二极管封装结构还包括：
[0019]第二金属层，所述第二金属层焊接于所述二极管芯片的第二电极和所述金属结构之间。
[0020]可选的，所述二极管封装结构还包括：
[0021]端子基岛，所述端子基岛设置在所述壳体内，所述端子基岛上连接有所述第二端子和所述金属结构，所述端子基岛与所述芯片基岛间隔设定距离。
[0022]可选的，所述二极管封装结构还包括：
[0023]第三金属层，所述第三层焊接于所述端子基岛和所述金属结构之间。
[0024]可选的，所述二极管封装结构还包括：
[0025]导电基板，所述导电基板设置在所述壳体内，所述导电基板的上表面连接所述第一端子，所述导电基板的下表面连接所述芯片基岛。
[0026]可选的，所述金属结构为倒凹形，所述金属结构中部向上凸起预设高度。
[0027]可选的，
[0028]所述金属结构包括：
[0029]第一端部、中间部和第二端部，所述第一端部通过第一弯曲部连接所述中间部，所述第二端部通过第二弯曲部连接所述中间部，所述第一弯曲部、所述中间部和所述第二弯曲部连接形成所述倒凹形的形状。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1是本技术一实施例中提供的第一种二极管封装结构示意图；
[0032]图2是本技术一实施例中提供的第二种二极管封装结构示意图；
[0033]图3是本技术一实施例中提供的密封盖板示意图；
[0034]符号说明如下：
[0035]1、壳体；2、二极管芯片；21、第一电极；22、第二电极；3、第一金属层；4、第二金属层；5、金属结构；51、第一端部；52、第二端部；53、第一弯曲部；54、第二弯曲部；55、中间部；6、第三金属层；7、端子基岛；8、导电基板；9、芯片基岛；10、第一端子；11、第二端子；12、密封盖板。
具体实施方式
[0036]为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步的详细说明。
[0037]应当理解，下面阐述的实施例代表了使本领域技术人员能够实施实施例并说明实施实施例的最佳模式的必要信息。在根据附图阅读以下描述后，本领域技术人员将理解本公开的概念并且将认识到这些概念在本文中未特别提及的应用。应当理解，这些概念和应
用落入本公开和所附权利要求的范围内。
[0038]还应当理解，尽管本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元素，但是这些元素不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。例如，可以将第一元件称为第二元件，并且类似地，可以将第二元件称为第一元件，而不脱离本公开的范围。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。
[0039]还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦合到另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元素被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一个元素时，不存在中间元素。
[0040]还应当理解，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“底部”、“中间”、“中间”、“顶部”等可以在本文中用于描述各种元素，指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此这些元素不应受这些条款的限制。
[0041]这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。例如，第一元件可以被称为“上”元件，并且类似地，第二元件可以根据这些元件的相对取向被称为“上”元件，而不脱离本公开的范围。
[0042]进一步理解，术语“包括”、“包含”、“包括”和/或“包含”在本文中使用时指定了所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或它们的组。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管封装结构，其特征在于，包括：壳体；二极管芯片，所述二极管芯片设置于所述壳体内部；第一端子，所述第一端子与所述二极管芯片的第一电极连接；第二端子和金属结构，所述金属结构的一端连接所述二极管芯片的第二电极，所述金属结构的另一端连接所述第二端子；所述金属结构的宽度大于宽度阈值。2.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述二极管封装结构还包括：密封盖板，所述密封盖板密封焊接于所述壳体的开口上。3.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述二极管封装结构还包括：芯片基岛，所述芯片基岛设置于所述壳体的底部，所述二极管芯片设置于所述芯片基岛上，所述二极管芯片的第一电极与所述芯片基岛连接。4.根据权利要求3所述的二极管封装结构，其特征在于，所述二极管封装结构还包括：第一金属层，所述第一金属层焊接于所述二极管芯片的第一电极和所述芯片基岛之间。5.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述二极管封装结构还包括：第二金属层，所述第二金属层焊接于所述二极管芯片的第二电极和所述金属结构之间。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鋆，刘杰，
申请(专利权)人：深圳芯能半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：