一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，该所述沟槽型场效应晶体管包括：衬底层；外延层；第一体区；第二体区；第一沟槽；第二沟槽；第一源区；第二源区。本发明专利技术通过预设第一体区、第二体区的深度，使第二体区的深度小于所述第一体区的深度，得到相较于第一体区来说体区深度较浅的第二体区，降低了体区的长度，进而降低了二极管开启的阈值电压，从而以较低的阈值电压开启了体二极管，实现了降低反向续流功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、沟槽型场效应晶体管在半导体
扮演着不可或缺的角色，对于功率半导体器件的发展至关重要。然而，由于半导体
的高度复杂性，传统的沟槽mos自带的寄生二极管是由其p型体基区和n型外延层所构成的pn结二极管，其开启电压在1v左右，存在当反向续流时，电流通过体二极管，产生开启电压较高、功耗较大。

2、因此，如何以更低的开启电压开启体二极管，实现降低反向续流功耗成为亟待解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，本申请实施例提供了一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法，以解决当前传统的沟槽mos自带的寄生二极管在反向续流时，电流通过体二极管，产生开启电压较高、功耗较大的问题。

2、第一方面，本申请实施例提供一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法，包括：

3、第一导电类型的衬底层；

4、第一导电类型的外延层，所述外延层位于所述衬底层上；

5、第二导电类型的第一体区，所述第一体区位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，所述第二体区的离子掺杂浓度小于所述第一体区的离子掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，形成所述第一栅极结构包括：形成所述第一栅极结构的第一介质层，位于所述第一介质层上的第一栅极；

4.如权利要求3所述的一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，形成所述第二栅极结构的第二介质层包括：形成位于所述第二沟槽底部上方的底部介质层，位于所述第二沟槽侧壁上的上壁介质层，以及位于所述第二沟槽侧壁上的下壁介质层，所述上壁介质层位于所述下壁...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，所述第二体区的离子掺杂浓度小于所述第一体区的离子掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，形成所述第一栅极结构包括：形成所述第一栅极结构的第一介质层，位于所述第一介质层上的第一栅极；

4.如权利要求3所述的一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，形成所述第二栅极结构的第二介质层包括：形成位于所述第二沟槽底部上方的底部介质层，位于所述第二沟槽侧壁上的上壁介质层，以及位于所述第二沟槽侧壁上的下壁介质层，所述上壁介质层位于所述下壁介质层的上方，所述上壁介质层的厚度小于所述下壁介质层的厚度。

5.如权利要求3所述的一种沟槽型场效应晶体管，其特征在于，所述第二栅极结构上设置有预设形状的第一接触孔，所述第一源区和所述第二源区之间设置有第二接触孔，所述第一接触孔、所述第二接触孔中填有金属，用于通...

【专利技术属性】
技术研发人员：马献，刘杰，
申请(专利权)人：深圳芯能半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：