System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 晶粒纠偏方法、计算机存储介质和芯片装置的制备方法制造方法及图纸_技高网

晶粒纠偏方法、计算机存储介质和芯片装置的制备方法制造方法及图纸

技术编号:40475250 阅读:7 留言:0更新日期:2024-02-26 19:11
本发明专利技术公开了一种晶粒纠偏方法及装置、计算机存储介质和芯片装置的制备方法,所述晶粒纠偏方法包括:获取裸片单元中每个晶粒的偏移数据,所述裸片单元包括多个晶粒;获取关于所述裸片单元上晶粒与晶粒之间的互联线路原始图;根据所述裸片单元中每个晶粒的理想位置数据确定可布线区;根据每个晶粒的偏移数据对所述互联线路原始图中位于所述可布线区内的线路进行纠偏。采用该方法可以在可布线区内完成晶粒间偏移数据的纠偏,使得晶粒间重新实现通信和数据传输,从而降低对高精度贴片设备的依赖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片,尤其是涉及一种晶粒纠偏方法、计算机存储介质和芯片装置的制备方法


技术介绍

1、相关技术中,chiplet(芯粒)技术是将裸芯片拆分成多个晶粒,在对多个晶粒进行封装过程中,通过贴片设备将多个晶粒贴在基板上时晶粒会发生偏移,而贴片设备的精度决定了晶粒与晶粒之间的位移量,但是,即使是高精度的贴片设备也无法避免晶粒发生偏移,从而导致晶粒之间实现无法通信和数据传输。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术的一个目的在于提出一种晶粒纠偏方法,采用该方法可以在可布线区内完成晶粒间偏移数据的纠偏,使得晶粒间重新实现通信和数据传输,从而降低对高精度贴片设备的依赖。

2、本专利技术的目的之二在于提出一种计算机存储介质。

3、本专利技术的目的之三在于提出一种芯片装置的制备方法。

4、为了解决上述问题,本专利技术第一方面实施例提供一种晶粒纠偏方法,包括:获取裸片单元中每个晶粒的偏移数据,所述裸片单元包括多个晶粒;获取关于所述裸片单元上晶粒与晶粒之间的互联线路原始图;根据所述裸片单元中每个晶粒的理想位置数据确定可布线区;根据每个晶粒的偏移数据对所述互联线路原始图中位于所述可布线区内的线路进行纠偏。

5、根据本专利技术实施例的晶粒纠偏方法,通过裸片单元中每个晶粒的偏移数据以改变互联线路原始图中位于可布线区内的线路的走向、位置或形状,即对互联线路原始图进行重新布线和调整等操作,从而在可布线区内完成晶粒间偏移数据的纠偏,此时晶粒与晶粒间可重新通过调整后的互联线路连接,使得晶粒间重新实现通信和数据传输,从而降低对高精度贴片设备的依赖。

6、在一些实施例中,所述可布线区的宽度大于基准值,所述基准值为贴片设备在对所述晶粒进行贴片处理时的最大允许偏移量。

7、在一些实施例中,所述可布线区的宽度大于或等于基准值,所述基准值=贴片设备在对所述晶粒进行贴片处理时的最大允许偏移量*2。

8、在一些实施例中,所述偏移数据至少包括每个晶粒的当前位置数据相对于所述每个晶粒的理想位置数据之间的相对位移数据和相对旋转角度,根据每个晶粒的偏移数据对位于所述可布线区内的互联线路进行纠偏,包括:根据所述相对位移数据和相对旋转角度对位于所述可布线区内的互联线路进行纠偏。

9、在一些实施例中,所述可布线区的形状为多边形。

10、在一些实施例中,所述可布线区的数量小于或等于所述晶粒的数量。

11、在一些实施例中,所述可布线区的数量等于所述晶粒的数量,每个可布线区围绕于对应的晶粒的外周设置,且所述可布线区的边界与所述晶粒的边界具有间隔。

12、本专利技术第二方面实施例提供一种计算机存储介质,其上存储有计算机程序,其中,所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施例所述的晶粒纠偏方法。

13、本专利技术第三方面实施例提供一种芯片装置的制备方法,包括:提供封装基板和裸片单元;获取采用上述实施例所述的晶粒纠偏方法进行纠偏后的裸片单元线路图;根据所述裸片单元线路图对所述裸片单元进行曝光处理,以获得曝光后的裸片单元;将所述曝光后的裸片单元封装于所述封装基板上,以获得芯片装置。

14、根据本专利技术实施例的芯片装置的制备方法,通过执行上述实施例的晶粒纠偏方法以获得纠偏后的裸片单元线路图,然后通过裸片单元线路图对单个裸片单元进行拼版曝光,或者对多个裸片单元进行整版图形曝光,从而能够一次性曝光整版图形,提高了掩膜版曝光设备的产能并且成本降低,且利用纠偏后的裸片单元线路图进行曝光,提升了芯片互联良率。

15、在一些实施例中,所述裸片单元为多个,获取采用上述实施例所述的晶粒纠偏方法进行纠偏后的裸片单元线路图,包括:获取每个裸片单元对应的互联线路图,所述互联线路图为采用所述晶粒纠偏方法进行纠偏后的线路图;将所有互联线路图进行组合以形成所述裸片单元线路图。

16、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。

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【技术保护点】

1.一种晶粒纠偏方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述可布线区的宽度大于基准值,所述基准值为贴片设备在对所述晶粒进行贴片处理时的最大允许偏移量。

3.根据权利要求1所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述可布线区的宽度大于或等于基准值,所述基准值=贴片设备在对所述晶粒进行贴片处理时的最大允许偏移量*2。

4.根据权利要求1所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述偏移数据至少包括每个晶粒的当前位置数据相对于所述每个晶粒的理想位置数据之间的相对位移数据和相对旋转角度,根据每个晶粒的偏移数据对位于所述可布线区内的互联线路进行纠偏,包括:根据所述相对位移数据和相对旋转角度对位于所述可布线区内的互联线路进行纠偏。

5.根据权利要求1-4任一项所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述可布线区的形状为多边形。

6.根据权利要求1-4任一项所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述可布线区的数量小于或等于所述晶粒的数量。

7.根据权利要求1-4任一项所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述可布线区的数量等于所述晶粒的数量,每个可布线区围绕于对应的晶粒的外周设置,且所述可布线区的边界与所述晶粒的边界具有间隔。

8.一种计算机存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-7任一项所述的晶粒纠偏方法。

9.一种芯片装置的制备方法,其特征在于,包括:

10.根据权利要求9所述的芯片装置的制备方法,其特征在于,所述裸片单元为多个,获取采用权利要求1-7任一项所述的晶粒纠偏方法进行纠偏后的裸片单元线路图,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种晶粒纠偏方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述可布线区的宽度大于基准值,所述基准值为贴片设备在对所述晶粒进行贴片处理时的最大允许偏移量。

3.根据权利要求1所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述可布线区的宽度大于或等于基准值,所述基准值=贴片设备在对所述晶粒进行贴片处理时的最大允许偏移量*2。

4.根据权利要求1所示的晶粒纠偏方法,其特征在于,所述偏移数据至少包括每个晶粒的当前位置数据相对于所述每个晶粒的理想位置数据之间的相对位移数据和相对旋转角度,根据每个晶粒的偏移数据对位于所述可布线区内的互联线路进行纠偏,包括:根据所述相对位移数据和相对旋转角度对位于所述可布线区内的互联线路进行纠偏。

5.根据权利要求1-4任一项所示的晶粒纠偏方...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵美云何少锋方林
申请(专利权)人:合肥芯碁微电子装备股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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