在载体负载的基底上形成电子器件的方法和所得器件技术

本发明专利技术涉及在载体负载的基底上形成电子器件的方法和所得器件。具体地涉及在柔性基底上形成电子器件的方法修整载体表面以形成用于保持柔性基底的保持区域。用涂施在载体的至少保持区域与接触表面的相应区域之间的中间粘合材料将柔性基底的接触表面施加到载体上。除去柔性基底与载体之间的夹留气体，并加工该基底以便在其上形成电子器件。随后可以将基底从保持区域上移除以产生所得电子器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及电子器件制造，更特别涉及将柔性(flexible) 基底装配到载体上并在该基底上形成电子器件的方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)器件广泛用于电光阵列和显示板的开关或驱 动电路。传统上采用沉积、图案化和蚀刻步骤的公知次序在刚性基底 (通常为玻璃或硅)上制造TFT器件。例如，非晶硅TFT器件要求将 金属，如铝、铬或钼；非晶硅半导体；和绝缘体如Si02或ShN4沉积 到基底上、图案化和蚀刻。半导体薄膜以典型厚度为几纳米至几百纳 米的层形式形成，中间层厚度大约几微米，且半导体薄膜可以在位于 刚性基底上的绝缘表面上形成。对刚性基底的要求主要基于制造方法本身的要求。热特性特别重 要，因为TFF器件在相对高温下制造。由此，已成功使用的基底材料 的范围略微有限，通常限于玻璃、石英或其它刚性的硅基材料。可以在某些类型的金属箔和塑料基底上形成TFT器件，从而在其 制造中实现一定程度的柔性。但是，如基底与TFT材料之间的化学不 相容性、基底与器件层之间的热膨胀失配、平面性与表面形态、以及 电容耦合或可能的短路之类的问题使金属箔基底更难以用在许多用 途中。TFT的制造方法需要20本文档来自技高网...

【技术保护点】
在柔性基底上形成电子器件的方法，包括：　修整载体表面以形成用于保持柔性基底的保持区域；　用涂施在载体的至少保持区域与接触表面的相应区域之间的中间粘合材料将柔性基底的接触表面施加到载体上；　除去柔性基底与载体之间的夹留气体； 　加工该基底以便在其上形成电子器件；和　将柔性基底从保持区域上移除。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：RS克尔，TJ特雷威尔，MA哈兰，JT默里，
申请(专利权)人：卡尔斯特里姆保健公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]