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本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。一种在研磨半导体晶片的背面侧的工艺中防止主面侧的污染的方法。在要研磨背面侧的半导体晶片的划片区的相交区处，以与将构成布线层的绝缘层叠置在器件区上相同的方式在主面上叠置多个绝缘层。此外，在与设置在...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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