【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体工艺进入深亚微米时代，0. 18微米以下的元件有源区之间大多采用浅沟槽隔离结构进行横向隔离来制作，在专利号为US7112513的美国专利中还能发现更多关于浅沟槽隔离技术的相关信息。具体地，针对不同的半导体器件，浅沟槽隔离结构的性能要求也不同，闪存 (FLASH)是一种结合ROM和RAM的长处的存储器，不仅具备电子可擦除可编程性能、且不会断电丢失数据、以及举办可以快速读取数据的优势，其对浅沟槽隔离结构的性能要求更加严格。应包括如下步骤在依次形成有氧化层、多晶硅层、氮化硅层的硅衬底表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形的图案与浅沟槽对应；以所述光刻胶层为掩膜，依次刻蚀氮化硅层、多晶硅层、氧化层以及硅衬底，在硅衬底内形成浅沟槽；采用高密度等离子体设备在所述浅沟槽内填充绝缘介质并在所述氮化硅层表面形成介质层；用化学机械抛光法(Chemical Mechanical Polishing, CMP)平坦化所述介质层直至暴露出氮化硅层表面。但是，现有的浅沟槽隔离结构形成方法形成的浅沟槽隔离结构性能差。
技术实现思路
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【技术保护点】
１．一种用于闪存器件的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有衬垫层、栅多晶硅层和停止层；在所述停止层表面形成抗反射层；依次刻蚀抗反射层、停止层、栅多晶硅层、衬垫层以及半导体衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内填充隔离介质并在所述抗反射层表面形成介质层；平坦化所述介质层和所述抗反射层直至暴露出停止层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：纪登峰，顾靖，于世瑞，冯凯，程广春，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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