用于闪速存储器浅沟槽隔离结构的形成方法技术

一种用于改善闪速存储器“笑脸”效应的浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有隧穿氧化层和浮栅多晶硅层；在所述浮栅多晶硅层表面形成硬掩膜层，并依次刻蚀所述硬掩膜层、浮栅多晶硅层、隧穿氧化层、半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽；采用原位蒸汽生成工艺形成覆盖所述浅沟槽表面的衬垫氧化层；采用化学气相淀积形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层。通过本发明专利技术所提供的用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法可以有效的改善传统工艺所带来的浮栅隧穿氧化物的“笑脸”问题，提高闪速存储器的编程和擦除效率，增加闪速存储器擦除状态下的读电流，从而达到增大存储器窗口的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及浅沟槽隔离结构的形成方法，特别涉及用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。而在存储器件中，近年来闪速存储器(flash memory)的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度、易于擦除和重写等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。闪存的标准物理结构称为闪存单元(bit)。闪存单元的结构与常规MOS晶体管不同。常规的MOS晶体管的栅极(gate)和导电沟道间由栅极绝缘层隔开，一般为氧化层 (oxide)；而闪存单元在控制栅(CG control gate，相当于常规的MOS晶体管的栅极)与导电沟道间还多了一层物质，称之为浮栅(Refloating gate)。由于浮栅的存在，使闪存可以完成三种基本操作模式即读、写、擦除。即便在没有电源供给的情况下，浮栅的存在可以保持存储数据的完整性。相邻的闪存单元之间以浅沟槽隔离结构(STI)隔离。图1至图3为现有的闪速存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有隧穿氧化层和浮栅多晶硅层；在所述浮栅多晶硅层表面形成硬掩膜层，并依次刻蚀所述浮栅多晶硅层、隧穿氧化层、半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽；采用原位蒸汽生成工艺形成覆盖所述浅沟槽表面的衬垫氧化层；形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层。

【技术特征摘要】
1.一种用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有隧穿氧化层和浮栅多晶硅层；在所述浮栅多晶硅层表面形成硬掩膜层，并依次刻蚀所述浮栅多晶硅层、隧穿氧化层、 半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽；采用原位蒸汽生成工艺形成覆盖所述浅沟槽表面的衬垫氧化层；形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层。2.依据权利要求1的用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述衬垫氧化层的温度是900度至1200度。3.依据权利要求2的用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述原位蒸汽生成工艺的工艺压强为0. ITorr至IOOTorr，反应气体为H2、O2与N2的混合气体，混合气体流量为0. ISLM至10SLM。4.依据权利要求1至3中任一项的用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述原位蒸汽生成工艺的反应时间是1-lOs。5.依据权利要求1的用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，张雄，张博，于世瑞，孔蔚然，顾靖，胡剑，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31