半导体电容器结构及其形成方法技术

一种半导体电容器结构，包括：半导体衬底；位于所半导体衬底表面的第一多晶硅层；还包括：位于第一多晶硅层表面，且覆盖第一多晶硅层的侧壁的第一介质层；位于所述第一介质层表面，且覆盖第一介质层的侧壁的第二多晶硅层；贯穿第二多晶硅层、第一介质层，且暴露第一多晶硅层的通孔。相应地，本发明专利技术还提供所述半导体电容器结构的形成方法。本发明专利技术所提供的半导体电容器结构及其形成方法避免了形成多晶硅纵梁，从而简化了工艺流程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及。
技术介绍
在现有的CMOS工艺中，多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP，Poly-Insulator-Poly)电容器和多晶硅-多晶硅-衬底(PPS，Poly-Poly-Substrate)电容器被广泛作为电容器件使用。图1是现有的PIP电容器的结构示意图，包括半导体衬底100，所述半导体衬底 100表面形成有浅沟槽隔离结构110 ；位于所述浅沟槽隔离结构110表面的第一介质层 120 ；位于所述第一介质层120表面的第一多晶硅层130 ；位于所述第一多晶硅层130表面的第二介质层140，且第二介质层140覆盖第一多晶硅层130的一侧的侧壁；位于所述第二介质层140和第一介质层120表面的第二多晶硅层150，且所述第二多晶硅层150覆盖第二介质层140位于第一介质层120表面的侧壁，与被覆盖第一多晶硅层130侧壁相对的一端的第一多晶硅层130部分表面被暴露，且所述暴露的表面形成有与第一多晶硅层130电连接的第一导电插塞170，所述第二多晶硅层150表面还具有与第二多晶硅层150电连接的第二导电插塞180。图2是现有PPS电容器的结构示意图，包括半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体电容器结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一多晶硅层；其特征在于，还包括：位于所述第一多晶硅层表面，且覆盖第一多晶硅层的侧壁的第一介质层；位于所述第一介质层表面，且覆盖第一介质层的侧壁的第二多晶硅层；贯穿所述第二多晶硅层、第一介质层，且暴露第一多晶硅层的通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江红，孔蔚然，李冰寒，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31