一种电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一ＭＩＭ电容器及其制造方法，其中，所述电容器包括衬底；第一金属层，其形成于所述衬底之上；介电层，其覆盖所述第一金属层的表面；第二金属层，其形成于所述介电层的表面，其中，所述第一金属层是由多个金属颗粒连续排列而成。所述电容器的制造方法包括：提供一衬底；形成一第一金属层于所述衬底之上，使得所述第一金属层具有多个金属颗粒连续排列而成的结构；形成一介电层于所述第一金属层之上；形成一第二金属层于所述介电层之上。采用本发明专利技术提供的电容器及其制造方法，能够有效地提高ＭＩＭ电容器的电容密度，并且工艺简单便捷，功耗较小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及电容器领域。
技术介绍
电容器是在超大规模集成电路中常用的无源元件，其主要包括多晶硅-绝缘 体-多晶硅(PIP, PolysiIicon-Insulator-Polysilicon)、金属-绝缘体-硅(MIS, Metal-Insulator-Silicon)禾口金属一绝缘体一金属(MIM,Metal-Insulator-Metal)等。其 中，由于MIM电容器对晶体管造成的干扰最小，且可以提供较好的线性度(Linearity)和对 称度(Symmetry)，因此得到了更加广泛的应用，特别是在混合信号(Mixed-signal)和射频 (RF, Radio Frequency)令页域。随着集成电路器件的尺寸的减小，理想的MIM电容器需要兼顾尺寸小和电容大的 要求，即寻求更高的电容密度。电容器的电容公式如下所示Γ Π P ￡SC =-Ankd其中，C表示电容器的电容；ε是介电常数；S为有效电极面积；k为静电力常量； d为上下电极之间的有效距离。根据电容器的公式，在现有技术中提高MIM电容器的电容密度的方法主要包括两 种— .减小介电层的厚度，即减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属－绝缘体－金属电容器，其中，包括：衬底；第一金属层，其形成于所述衬底之上；介电层，其覆盖所述第一金属层的表面；第二金属层，其形成于所述介电层的表面，其中，所述第一金属层是由多个金属颗粒连续排列而成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：向阳辉，刘艳，黄晓辉，曾贤成，荆学珍，郭世璧，庞军玲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31