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一种半导体电容器结构，包括：半导体衬底；位于所半导体衬底表面的第一多晶硅层；还包括：位于第一多晶硅层表面，且覆盖第一多晶硅层的侧壁的第一介质层；位于所述第一介质层表面，且覆盖第一介质层的侧壁的第二多晶硅层；贯穿第二多晶硅层、第一介质层，且暴...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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