【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤指一种以铜核基板为基础，开始制 作的单面、多层封装基板的制作方法。
技术介绍
在一般多层封装基板的制作上，其制作方式通常由一核心基板开始，经过钻孔、电镀金 属、塞孔及双面线路制作等方式，完成一双面结构的内层核心板，的后再经由一线路增层制 程完成一多层封装基板。如图2 l所示，其为一有核层封装基板的剖面示意图。首先，准备 一核心基板5 0 ，其中，该核心基板5 0由一具预定厚度的芯层5 0 l及形成于此芯层5 0l表面的线路层5 0 2所构成，且该芯层5 0 1中形成有数个电镀导通孔5 0 3，可藉以连 接该芯层5 0 1表面的线路层5 0 2 。接着如图2 2 图2 5所示，对该核心基板5 O实施线路增层制程。首先，系于该核心 基板5 0表面形成一第一介电层5 1 ，且该第一介电层5 1表面形成有数个第一开口 5 2 ， 以露出该线路层5 0 2;之后，以无电电镀与电镀等方式于该第一介电层5 l外露的表面形 成一晶种层5 3 ，并于该晶种层5 3上形成一图案化阻层5 4 ，且其图案化阻层5 4中有数 个第二开口5 5，以露出部分欲形成图案...
【技术保护点】
一种铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步骤： （Ａ）提供一铜核基板； （Ｂ）于该铜核基板的第一面上形成一第一介电层及一第一金属层； （Ｃ）于该第一金属层及该第一介电层上形成数个第一开口，并显露部分铜核基板第一面； （Ｄ）于数个第一开口中及该第一金属层上形成一第二金属层； （Ｅ）分别于该第二金属层上形成一第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上并形成数个第二开口，并显露部分的第二金属层；（Ｆ）移除该第二开口下方的第二金属层及第一金属层，并形成一第一线路层； （Ｇ）移除该第一阻层及...
【技术特征摘要】
1.一种铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步骤(A)提供一铜核基板；(B)于该铜核基板的第一面上形成一第一介电层及一第一金属层；(C)于该第一金属层及该第一介电层上形成数个第一开口，并显露部分铜核基板第一面；(D)于数个第一开口中及该第一金属层上形成一第二金属层；(E)分别于该第二金属层上形成一第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上并形成数个第二开口，并显露部分的第二金属层；(F)移除该第二开口下方的第二金属层及第一金属层，并形成一第一线路层；(G)移除该第一阻层及该第二阻层，至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板，并可选择直接进行步骤(H)或步骤(I)；(H)于该单层增层线路基板上进行一置晶侧与球侧线路层制作，于其中，在该第一线路层表面形成一第一防焊层，并且在该第一防焊层上形成数个第三开口，以显露该第一线路层作为电性连接垫的部分；接着减低该铜核基板第二面的铜厚度，并于减铜后的铜核基板第二面上形成一第三阻层，且在该第三阻层上形成数个第四开口，之后再分别于数个第三开口中形成一第一阻障层，以及于第四开口中形成一第二阻障层，最后移除该第三阻层；至此，完成一具有完整图案化的置晶侧线路层与已图案化但仍完全电性短路的球侧线路层；以及(I)于该单层增层线路基板上进行一线路增层结构制作，于其中，在该第一线路层及该第一介电层表面形成一第二介电层，并且在该第二介电层上形成数个第五开口，以显露部分的第一线路层。接着于该第二介电层与数个第五开口表面形成一第一晶种层，再分别于该第一晶种层上形成一第四阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第五阻层，并于该第四阻层上形成数个第六开口，以显露部分的第一晶种层，之后于该第六开口中已显露的第一晶种层上形成一第三金属层，最后移除该第四阻层、该第五阻层及该第一晶种层，以在该第二介电层上形成一第二线路层；至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线路基板，并可继续本步骤(I)增加线路增层结构，形成具更多层的封装基板，亦或直接至该步骤(H)进行置晶侧与球侧线路层制作。2. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该铜核基板为一不含介电层材料的铜板。...
【专利技术属性】
技术研发人员：林文强，王家忠，陈振重，
申请(专利权)人：钰桥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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