具有多层囊封的传导基板的半导体封装制造技术

具有多层囊封的传导基板的半导体封装。在一个实施例中，半导体封装包括具有精细节距的多层囊封传导基板。该多层囊封传导基板包括：彼此间隔开的传导引线；第一囊封物，其安置在引线之间；第一传导层，其电连接到多个引线；第一传导结构，其安置在该第一传导层上；第二囊封物，其囊封第一传导层和第一传导结构；以及第二传导层，其电连接到第一传导结构并且在第二囊封物中暴露。半导体裸片电连接到该第二图案化传导层。第三囊封物至少覆盖该半导体裸片。本实用新型专利技术支持小型化和高性能电子装置的需要；并可以减少制造周期时间。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉参考本申请主张2016年6月3日在美国专利局递交的标题为“制造具有多层囊封的传导基板的半导体封装的方法及结构”的第15/173,281号美国专利申请案以及2015年7月1日在韩国知识产权局递交的第10-2015-0094305号韩国专利申请的优先权，以及它们在35U.S.C.§119下的全部权益，这些专利申请的内容以引用的方式全文并入本文中。
本技术大体上涉及电子元件，并且更具体地说，涉及半导体封装、其结构及制造半导体封装的方法。
技术介绍
一般而言，用于半导体装置封装的引线框是通过相对于金属条带执行机械冲压或化学蚀刻过程制造的。更具体地说，引线框同时充当用于将半导体裸片连接到外部电路的互连结构以及用于将半导体封装固定到外部装置的框。根据半导体裸片的高密度和高度集成以及组件安装方法，引线框可具有多种形状。为了将半导体裸片电连接到引线框，半导体封装被配置成使用传导凸块或导线将半导体裸片的接合垫连接到引线框。引线框分成框(或裸片垫)和引线，并且半导体裸片连接到引线以交换电信号。随着电子装置的小型化和高性能的持续需要，也需要精细间距多层互连结构框。相应地，希望具有形成包括精细节距多层囊封互连主框架结构的封装半导体装置的结构和方法，该结构例如微引线框结构，其支持小型化和高性能电子装置的需要。还希望的是在完成封装半导体装置之前制造精细节距多层囊封互连主结构以减少制造周期时间。另外，还需要的是结构和方法容易地并入到制造流中并且是经济的。
技术实现思路
在其它特征之中，本技术包括：多层囊封传导基板；精细节距多层囊封传导基板；多层囊封引线框结构；或多层模制传导结构，其包括至少两层的囊封或模制的传导互连结构。在一些实施例中，在制造期间载体附接到多层囊封传导结构的表面作为临时支撑结构。电子组件，例如，半导体裸片，可以附接到多层囊封传导基板并且进一步用另外的囊封物囊封。更具体地说，在一个实施例中，半导体封装包括：多层囊封传导基板，其包括：彼此间隔开的多个引线；第一囊封物，其安置在多个引线之间；第一传导层，其电连接到多个引线；第一传导结构，其安置在第一传导层上；第二囊封物，其囊封第一传导层和第一传导结构；以及第二传导层，其电连接到第一传导结构并且邻近第二囊封物安置；半导体裸片，其电耦合到第二传导层；第三囊封物，其至少囊封半导体裸片。其中：所述第一囊封物的底部表面突出到所述多层囊封传导基板的底部部分多于所述多个引线的底部表面。其中，进一步包括：附接到所述多个引线的所述底部表面的焊料结构。其中：所述多个引线的底部表面突出到所述多层囊封传导基板的底部部分多于所述第一囊封物的底部表面。其中，进一步包括：第二传导结构，其安置在所述第二传导层上；以及第四囊封物，其囊封所述第二传导层和所述第二传导结构，其中所述第二传导结构暴露在所述第四囊封物中，其中：所述半导体裸片电耦合到所述第二传导结构。其中：传导凸块形成在所述半导体裸片下面；以及所述传导凸块电连接到所述第二传导结构。其中：所述第一传导层重叠到所述第一囊封物上。其中：至少一个第一传导结构安置在所述第一传导层上，其中所述第一传导层重叠所述第一囊封物。其中：所述第一囊封物包括第一模制化合物；以及所述第二囊封物包括第二模制化合物。在另一实施例中，半导体封装包括：多层囊封传导基板，所述多层囊封传导基板包括：彼此间隔开的传导引线；第一囊封物，其安置在所述传导引线之间；第一传导层，其电连接到所述传导引线；第一传导结构，其安置在所述第一传导层上；第二囊封物，其囊封所述第一传导层和所述第一传导结构，其中所述第一传导结构暴露于所述第二囊封物的外部；以及第二传导层，其电连接到所述第一传导结构并且邻近所述第二囊封物安置；电耦合到所述第二传导层的半导体裸片；以及至少覆盖在所述半导体裸片处的第三囊封物。其中：所述传导引线暴露于所述第一囊封物的外部；所述第一传导层电连接到所述传导引线；所述第一传导结构邻近所述第一传导层安置；所述第二囊封物囊封所述第一传导结构和所述第一传导层；以及所述引线的底部表面和所述第一囊封物的底部表面被暴露。其中：所述传导引线的所述底部表面被凹进以允许所述第一囊封物相对于所述传导引线向下突出。其中，进一步包括：焊料结构，其附接到所述传导引线的所述底部表面。其中：所述第一囊封物的所述底部表面被凹进以允许所述传导引线相对于所述第一囊封物向下突出，由此配置所述传导引线以促进到外部电路的直接连接。其中：所述多层囊封传导基板进一步包括：第二传导结构，其邻近所述第二传导层安置；以及第四囊封物，其囊封所述第二传导结构；以及使所述第二传导结构暴露于所述第四囊封物的外部。其中：所述半导体裸片电耦合到所述第二传导结构。其中：传导凸块，其邻近所述第二传导结构安置，其中：将所述半导体裸片电连接到所述传导凸块。其中：使用传导凸块将所述半导体裸片的底部表面直接地附接到所述第二传导层。其中：所述第一传导层重叠于所述第一囊封物上。其中：至少一第一传导结构被定位成直接覆盖所述第一囊封物。在另一实施例中，半导体封装的制造方法包括：提供多层囊封传导基板，该多层囊封传导基板包括：彼此间隔开的传导引线；第一囊封物，其安置在传导引线之间；第一传导层，其电连接到传导引线；第一传导结构，其安置在第一传导层上；第二囊封物，其囊封第一传导层和第一传导结构，其中第一传导结构暴露于第二囊封物的外部；以及第二传导层，其电连接到第一传导结构并且邻近第二囊封物安置。该方法包括电耦合半导体裸片到第二传导层。该方法包括形成至少覆盖在半导体裸片处的第三囊封物。在另一实施例中，制造半导体封装的方法包括制备主框架且部分地移除主框架的上部部分以形成框以及从框突出的引线。该方法包括通过第一囊封物第一囊封引线且使引线的第一表面暴露于外部。该方法包括形成电连接到引线的第一传导层。该方法包括形成电连接到第一传导层的传导通孔。该方法包括使用第二囊封物第二囊封传导通孔和第一传导层且移除第二囊封物的上部部分以使传导通孔暴露于外部。该方法包括形成电连接到传导通孔的第二传导层。该方法包括使引线的第二表面暴露于外部。该方法包括使引线的第二表面或第一囊封物的底部表面凹进。该方法包括电耦合半导体裸片到第二传导图案。在另外的实施例中，暴露引线的第一表面可以包括a)移除第一囊封物的第一部分或b)移除主框架的下部部分以移除框。在另一实施例中，暴露引线的第二表面可以包括如果使用步骤a)，那么移除主框架的下部部分以移除框，或如果使用步骤b)，那么移除第一囊封物的第二部分。附图说明通过参考附图详细描述其示例性实施例，本技术的上述以及其它特征将变得更加显而易见，在附图中：图1是说明根据本技术的实施例的半导体封装的制造方法的流程图；图2A到2M是说明根据图1的实施例的半导体封装的制造方法的截面图；图3A到3M是说明根据本技术的另一实施例的半导体封装的制造方法的截面图；图4是说明根据本技术的另一实施例的半导体封装的制造方法的流程图；图5A到5M是说明根据图4的实施例的半导体封装的制造方法的截面图；图6是说明根据本技术的另一实施例的半导体封装的制造方法的流程图；以及图7A到7H是说明根据图6的实施例的半导体封装的制造方法的截面图。为了说明的简单和清楚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其特征在于，包括：多层囊封传导基板，其包括：彼此间隔开的多个引线；第一囊封物，其安置在所述多个引线之间；第一传导层，其电连接到所述多个引线；第一传导结构，其安置在所述第一传导层上；第二囊封物，其囊封所述第一传导层和所述第一传导结构；以及第二传导层，其电连接到所述第一传导结构并且邻近所述第二囊封物安置；半导体裸片，其电耦合到所述第二传导层；以及第三囊封物，其至少囊封所述半导体裸片。

【技术特征摘要】
2015.07.01 KR 10-2015-0094305;2016.06.03 US 15/1731.一种半导体封装，其特征在于，包括：多层囊封传导基板，其包括：彼此间隔开的多个引线；第一囊封物，其安置在所述多个引线之间；第一传导层，其电连接到所述多个引线；第一传导结构，其安置在所述第一传导层上；第二囊封物，其囊封所述第一传导层和所述第一传导结构；以及第二传导层，其电连接到所述第一传导结构并且邻近所述第二囊封物安置；半导体裸片，其电耦合到所述第二传导层；以及第三囊封物，其至少囊封所述半导体裸片。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述第一囊封物的底部表面突出到所述多层囊封传导基板的底部部分多于所述多个引线的底部表面。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括：附接到所述多个引线的所述底部表面的焊料结构。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述多个引线的底部表面突出到所述多层囊封传导基板的底部部分多于所述第一囊封物的底部表面。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括：第二传导结构，其安置在所述第二传导层上；以及第四囊封物，其囊封所述第二传导层和所述第二传导结构，其中所述第二传导结构暴露在所述第四囊封物中，其中：所述半导体裸片电耦合到所述第二传导结构。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于：传导凸块形成在所述半导体裸片下面；以及所述传导凸块电连接到所述第二传导结构。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述第一传导层重叠到所述第一囊封物上。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其特征在于：至少一个第一传导结构安置在所述第一传导层上，其中所述第一传导层重叠所述第一囊封物。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：所述第一囊封物包括第一模制化合物；以及所述第二囊封物包括第二模制化合物。10.一种半导体封装，其特征在于，包括：多层囊封传导基板，所述多层囊封传导基板包括：彼此间隔开的传导引线；第一囊封物，其安置...

【专利技术属性】
技术研发人员：班文贝，金本吉，金锦雄，郑季洋，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国;US