多层配线基板及其制造方法技术

技术编号:15108495 阅读:145 留言:0更新日期:2017-04-08 23:54
一种多层配线基板及其制造方法,所述多层配线基板具有:贯通上层配线用金属箔和绝缘层的层间连接用孔、形成于该层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、在该金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间形成的下方空间、以及由填充电镀层填充所述层间连接用孔而成的层间连接,填充所述层间连接用孔的填充电镀层形成有两层以上,下方空间被所述两层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层填充,并且,由除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的层间连接的内部直径与开口部直径同等或其以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及多层配线基板及其制造方法,尤其涉及使用填充电镀液来形成层间连接的多层配线基板及其制造方法。
技术介绍
以往,采用如下多层配线基板:在形成有配线的内层材料上将半固化片或树脂膜和其上层的金属箔层叠一体化,利用激光设置层间连接用孔,形成基底无电解镀层后,通过使用填充电镀液形成的电镀层(以下,有时简称为“填充电镀层”。)来填埋上述层间连接用孔。此时,尤其对于孔径与绝缘层厚度相比为同等程度、即纵横比为1左右以上的层间连接用孔,有在孔内部容易产生镀层空洞(以下,有时简称为“空洞”。)的倾向。作为抑制这样的镀层空洞的方法,提出了应用以低电流密度长时间进行的电镀方法、阶段性地控制电流密度的电镀方法的多层配线基板(专利文献1)。此外,关于层间连接用孔的填埋,提出了从表面平滑性的观点出发而应用将电镀层的形成分2次进行的方法的多层配线基板(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2003-318544号公报专利文献2:日本特开2009-21581号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在通过利用敷形法、直接激光法的激光加工而形成的层间连接用孔中,在作为激光加工入口的层间连接用孔的开口部产生金属箔的突出,而由于该金属箔的突出,使得层间连接用孔的截面形状中,开口部有时甚至变得比内部或底部窄。对于这样的层间连接用孔,在由填充电镀物进行填充时,在开口部的金属箔的突出上析出的填充电镀层会在填充电镀物填充于层间连接用孔内部之前堵住层间连接用孔的开口部,成为产生镀层空洞的原因之一。近年来,小型化、薄型化的要求越来越高,从而有层间连接用孔的直径变得更小、绝缘层厚度变得更薄、纵横比变得更大的倾向,而伴随于此,该开口部的金属箔的突出相对于层间连接用孔的直径、深度而言相对变大,因而容易影响镀层空洞的产生。还认为,在层间连接的内部产生的空洞会由于长时间的使用、严酷条件下的使用而产生不良状况。专利文献1的方法中,作为具有由包含聚酰亚胺树脂等有机绝缘材料的绝缘层与包含铜等导体材料的配线交替层叠而成的多层结构的多层配线基板的制造方法,示出了控制电流密度以抑制空洞产生的方法,但本专利技术人进行了研究,结果是无法完全消除空洞。此外,专利文献2的方法中,虽然凹陷产生量得以减少,但没有得到抑制空洞产生的效果。本专利技术的目的在于,提供一种对具有与绝缘层厚度同等程度的直径的层间连接用孔也能够抑制填充电镀层的镀层空洞的多层配线基板。用于解决课题的方法本专利技术涉及以下内容。1.一种多层配线基板,其具有:将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化而形成的层叠体;贯通该层叠体的上述上层配线用金属箔和绝缘层的层间连接用孔;形成于该层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出;在该金属箔的突出与上述层间连接用孔的内壁之间形成的下方空间;以及由填充电镀层填充上述层间连接用孔而成的层间连接,填充上述层间连接用孔的填充电镀层至少形成有两层以上,形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与上述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被上述两层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层填充,并且,由除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的层间连接的内部的最大直径与开口部的最小直径同等或其以上。2.根据项1中的多层配线基板,关于由上述两层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的上述层间连接,在形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与上述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充,并且,呈层间连接的内部的最大直径大于开口部的最小直径的陶罐(蛸壺)状。3.根据项1或2中的多层配线基板,填充上述层间连接用孔的填充电镀层形成有两层,形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与上述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被上述两层填充电镀层中下层的填充电镀层填充,并且,由下层的填充电镀层所形成的层间连接的内部的最大直径与开口部的最小直径同等或其以上。4.根据项1至3中任一项的多层配线基板,上述层间连接用孔为贯通上述层叠体的上层配线用金属箔和绝缘层而及至内层配线的非贯通孔。5.根据项1至4中任一项的多层配线基板,层间连接用孔的纵横比大于或等于1.0。专利技术的效果根据本专利技术,能够提供一种对具有与绝缘层厚度同等程度的直径的层间连接用孔也能够抑制填充电镀层的镀层空洞的多层配线基板。附图说明图1为本专利技术的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板。图2表示本专利技术的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序(1)。图3表示本专利技术的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序(2)。图4表示本专利技术的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序(3)。图5表示比较例2的多层配线基板的制造方法的工序(2)。图6表示比较例1的多层配线基板的制造方法的工序(2)。图7表示本专利技术的一个实施方式(实施例2)的多层配线基板的制造方法的填充电镀的电流密度。具体实施方式(多层配线基板)作为本专利技术的多层配线基板的一个实施方式,可举出如图1所示的多层配线基板23,其具有:将形成有内层配线1的内层材料2与绝缘层3及上层配线10用金属箔4层叠一体化而形成的层叠体22、贯通该层叠体22的上述上层配线10用金属箔4和绝缘层3的层间连接用孔5、形成于该层间连接用孔5的开口部的上层配线10用金属箔4的突出12、在该金属箔4的突出12与上述层间连接用孔5的内壁18之间形成的下方空间13、以及由填充电镀层7a、7b填充上述层间连接用孔5而成的层间连接15;填充上述层间连接用孔5的填充电镀层7a、7b至少形成有两层以上,在形成于层间连接用孔5的开口部的上层配线10用金属箔4的突出12与上述层间连接用孔5的内壁18之间的下方空间13被上述两层以上的填充电镀层7a、7b中除最外层的填充电镀层7b以外的任一层填充电镀层7a填充,并且,由除最外层以外的任一层填充电镀层7a、7b所形成的层间连接15的内部的最大直径20与开口部的最小直径21同等或其以上。本实施的方式中的层叠体,通过将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化而形成。内层材料是用于多层配线基板的一般内层的材料,一般而言,在将树脂组合物含浸于增强基材而得到的半固化片(树脂含浸基材)的需要片数的上表面和/或下表面上,层叠由铜、铝、黄铜、镍、本文档来自技高网...
多层配线基板及其制造方法

【技术保护点】
一种多层配线基板,具有:将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化而形成的层叠体;贯通该层叠体的所述上层配线用金属箔和绝缘层的层间连接用孔;形成于该层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出;在该金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间形成的下方空间;以及由填充电镀层填充所述层间连接用孔而成的层间连接,填充所述层间连接用孔的填充电镀层至少形成有2层以上,在形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被所述2层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层填充,并且,由除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的层间连接的内部的最大直径与开口部的最小直径同等或其以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.09 JP 2013-211871;2014.07.18 JP 2014-147751.一种多层配线基板,具有:将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属
箔层叠一体化而形成的层叠体;贯通该层叠体的所述上层配线用金属箔和绝缘层的层间连
接用孔;形成于该层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出;在该金属箔的突出
与所述层间连接用孔的内壁之间形成的下方空间;以及由填充电镀层填充所述层间连接用
孔而成的层间连接,
填充所述层间连接用孔的填充电镀层至少形成有2层以上,
在形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述层间连接用孔的
内壁之间的下方空间被所述2层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层填
充,并且,由除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的层间连接的内部的最大直径与开
口部的最小直径同等或其以上。
2.如权利要求1所述的多层配线基板,关于由所述2层以上的填充电镀层中除最外层以
外的任一层填充电镀层所形成的所述层间连接,形成于层间连接用孔的开口部的上层配线
用金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充,并且,呈
层间连接的内部的最大直径大于开口部的最小直径的陶罐状。
3.如权利要求1或2所述的多层配线基板,填充所述层间连接用孔的填充电镀层形成有
2层,
在形成于层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与所述层间连接用孔的
内壁之间的下方空间被所述2层填充电镀层中下层的填充电镀层填充,并且,由下层的填充
电镀层所形成的层间连接的内部的最大直径与开口部的最小直径同等或其以上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的多层配线基板,所述层间连接用孔为贯通所述层叠
体的上层配线用金属箔和绝缘层而及至内层配线的非贯通孔。
5.如权利要求1至4中任一项所述的多层配线基板,层间连接用孔的纵横比大于或等于
1.0。
6.一种多层配线基板的制造方法,具有:
工序(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉田信之
申请(专利权)人:日立化成株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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