氧化铝基板上PNN-PZN-PZT多层并联压电厚膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种在Al2O3基板上制备高性能PNN-PZN-PZT多层并联压电厚膜的制备方法，具体配方为0.7Pb(ZryTi1-y)O3-zPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.3-z)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3，按照以上配方的化学计量比称取原料并球磨，于850℃预烧合成，采用丝网印刷法印刷电极以及压电厚膜层，压电厚膜层和电极交替层叠，通过对低温共烧工艺进行调整制备出高性能的多层并联压电厚膜材料。本发明专利技术工艺简单、成本低廉，适合大规模生产，在较低的电压下即可获得较大的驱动力和位移，主要应用于微型驱动器、超声换能器等器件中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种以成分为特征的陶瓷组合物，特别涉及一种在A1203基板上制备 PNN-PZN-PZT(铌锌-铌镍-锆钛酸铅）多层并联压电厚膜的方法。
技术介绍
低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-firedCeramic，简称LTCC)是集互联、无源 元件和封装与一体的多层陶瓷制造技术，它采用厚膜材料，根据预先设计的结构，将电极材 料、基板、电子器件等在900°C以下共烧，从而制成模块化集成器件或三维陶瓷基多层电路。 近年来随着对大功率压电材料与器件的要求的不断提高，压电陶瓷器件向体积小、驱动电 压低、位移量大、能集成化的方向发展，低温共烧多层压电陶瓷的研究成为热点。 传统的PZT陶瓷器件往往用粘结剂将压电陶瓷片粘结成多层压电陶瓷，由于受单 片陶瓷厚度的限制，无法实现小型化、集成化，多层元器件中的粘结剂与陶瓷片结合不紧 密，易分离造成性能恶化，甚至出现断裂，无法长期使用。然而，低温共烧陶瓷层间通过与内 电极直接结合而不再需粘结剂粘合，结合紧密性大大提高，陶瓷层间的分层现象得到有效 地克服，大大地提高了器件的使用寿命，器件的蠕变性能也得到很大的改善。此外，低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化铝基板上PNN‑PZN‑PZT多层并联压电厚膜的制备方法，具有如下步骤：(1)配料将原料Pb3O4、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Ni2O3和ZnO按0.7Pb(Zr0.46Ti0.54)O3‑0.1Pb(Zn1/3Nb2/3)O3‑0.2Pb(Ni1/3Nb2/3)O3的化学计量比配料，球磨4h，再于烘箱中烘干，经研磨后过筛，备用；(2)合成将步骤(1)中配制的粉料放入坩埚中压实，加盖用锆粉密封，于850℃合成，保温2h；(3)二次球磨将步骤(2)的合成原料放入球磨罐中，二次球磨4～10h，然后放入烘箱中烘干，烘干后研磨备用；(4)制备玻璃料将原料Pb3O4、H3BO3、SiO2、...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马卫兵，王明阳，郭瑶仙，陈南，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12