半导体集成电路制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体集成电路，包括：预驱动单元，所述预驱动单元被配置为接收预驱动信号和驱动力控制信号，并输出主驱动信号；主驱动单元，所述主驱动单元被配置为接收主驱动信号，并将输出数据输出至输出端子；端子连接单元，所述端子连接单元被配置为接收确定信号，并响应于确定信号而与输出端子连接或从输出端子断开；端子感测单元，所述端子感测单元被配置为感测输出端子，并输出端子状态信号；和驱动力确定单元，所述驱动力确定单元被配置为接收复位信号和端子状态信号，并输出驱动力控制信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路，更具体而言涉及具有输出缓冲设备的半导体集成电路。
技术介绍
在半导体电路中使用的数据输出缓冲设备可以作为向诸如DRAM(动态随机存取 存储器)的芯片的外部输出端子输出内部数据的设备。数据输出缓冲设备可以根据对高/ 低电平的输出电压电平余量、输出电压-电流匹配、去耦电容、电压转换速率(slew rate) 等的考虑来设计。电压转换速率表示输出电压关于单位时间的最大变化量。举一个增益为1的输出 电路的例子，当输入电压从OV上升至IV时，在理想电路中输出电压立刻从OV上升至IV。 然而，在电压转换速率为K的实际电路中，输出电压并是与输入电压一致地上升。相反，输 出电压随斜率为K的斜坡函数上升至IV。因此，控制输出电路的电压转换速率来符合产品 的指标是很重要的。当电压转换速率大时，驱动信号的强度即驱动力大，而当电压转换速率 小时，驱动力小。在包括MOS晶体管的输出缓冲设备的情况下，电压转换速率可能取决于能 够流经MOS晶体管的电流量。与半导体存储装置相连接的应用(Application)可以使用终端电阻(Rtt)和终端 电压(Vtt)来基本上防止由发生在远端的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体集成电路，包括：预驱动单元，所述预驱动单元被配置为接收预驱动信号和驱动力控制信号，并输出主驱动信号；主驱动单元，所述主驱动单元被配置为接收所述主驱动信号，并将输出数据输出至输出端子；端子连接单元，所述端子连接单元被配置为接收确定信号，并响应于所述确定信号而与所述输出端子连接或从所述输出端子断开；端子感测单元，所述端子感测单元被配置为感测所述输出端子，并输出端子状态信号；和驱动力确定单元，所述驱动力确定单元被配置为接收复位信号和所述端子状态信号，并输出所述驱动力控制信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金起业，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]