【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储装置，以及更特别地，涉及在半导体存储装置中使用 的地址控制电路。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)装置通常被使用在诸如行地址路径、列地址路径和 数据路径的一般信号路径。一般来说，在行地址路径上，具有下列操作自外部所提供的地 址取得一行地址，由该行地址选择一字线，以及通过感测放大器放大一连接至所选字线的 存储单元的数据。一般在列地址路径上，具有下列操作通过列地址控制电路取得从外部所 提供的地址的列地址(此后，称为“列地址控制操作”)，对该行地址译码，以及通过输出使 能信号选择一存储单元，其中该输出使能信号被选择性地启动。一般在数据路径上，具有下 列操作经过位线用以将数据输出至一外部系统以响应选择的输出使能信号，或者经过位 线用以将外部数据储存于存储单元中。在一般半导体存储装置中，垫片(pad)通常被设在半导体存储装置的芯片中心 处，其中透过该垫片可输入及输出地址、指令及数据。然而，在用于移动设备的其它半导体 存储装置中，垫片是沿着其芯片边缘而设置。例如，当接收地址以及指令的垫片设在半导体 存储装置芯片的一个边缘处时，用来输入/输...
【技术保护点】
一种地址控制电路，包含：一读取列地址控制电路，其被配置为在一读取操作模式的第一突发周期期间，从一地址产生一读取列地址；和一写入列地址控制电路，其被配置为在一写入操作模式的第二突发周期期间，从该地址产生一写入列地址。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李京夏，李周炫，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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