【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，随着移动数字终端已经变得更加精密，已经要求以非常高的速度处理大 量的数字数据。为了实现此种高速处理，有必要使用能够高速地暂时地存储数据的存储器 和高性能MPU (微处理单元)处理器件。然而，与MPU的操作速度的提高相比较，存储器(例如，通常被用作大容量RAM(随 机存取存储器)的DRAM)的操作速度的提高已经显著地缓慢，并且存储器的操作速度的提 高已经成为加速数字数据处理而待解决的重要问题。因此，在过去已经使用如被称为“DDR(双数据速率)的一种高速数据传输技术。然 而，此种传输技术的新颖特点仅在于使其中数据能与时钟同步并且通过专门数据传输引脚 被传输的数据传输变得更加快速，而作为存储器的基本构造相对传统的存储器没有发生显 著的变化。在传统的存储器中，仅通过数据输入和输出端子来执行数据输入和输出。此外，日本未经审查的专利申请公开No. S60-236185公布了一种半导体存储器， 该半导体存储器能够更改输出位的数目。该存储器包括输出位更改装置，该输出位更改装 置以可编程的方式使特定的端子具有可变的功能，使得端子被用作地址输入...
【技术保护点】
一种半导体存储器件，在其中执行从和向由特定地址指定的存储器单元连续读取和连续写入具有预定长度的数据，所述半导体存储器件包括：多个存储器单元；地址输入端子，通过所述地址输入端子地址被输入；数据输出端子，通过所述数据输出端子具有所述预定长度的读取数据被输出；以及数据输入端子，通过所述数据输入端子具有所述预定长度的写入数据被输入，其中，部分所述地址输入端子也被用作所述数据输出端子。
【技术特征摘要】
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