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本发明涉及半导体存储器件及其控制方法。本发明还涉及一种具有突发读取模式和突发写入模式的半导体存储器件。一种半导体存储器件，在其中执行从和向由特定地址指定的存储器单元连续读取和连续写入具有预定长度的数据，其包括：多个存储器单元；地址输入端子，...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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