带有具有１Ｈ－四唑基团的成分的可成像元件制造技术

辐射敏感组合物和可成像元件包括在可成像层中的聚合物或非聚合物组分，该组分包括１Ｈ－四唑基团。非聚合物组分可以为可自由基聚合化合物。聚合物组分可以具有挂在主链上的１Ｈ－四唑基团。在负片型或正片型可成像元件中使用这些成分提供了高曝光速度和改进的可显影性，以提供具有改进的耐化学品性和耐印力的成像后或显影后元件，例如平板印版。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及辐射敏感组合物和可成像元件，所述可成像元件包括可以用于制备平 版印版的负片型和正片型可成像元件两者。该可成像元件包含具有侧链IH-四唑基团的某 些聚合物或非聚合物成分。本专利技术还涉及使这些可成像元件成像并对其进行加工的方法。
技术介绍
辐射敏感组合物通常用于制备包括平版印版前体的可成像材料。这些组合物一般 包括辐射吸收化合物或感光剂、粘合剂以及在某些情况下的引发剂组合物和可聚合成分， 其中的每一种都已经是研究的重点以提供在物理性质、成像性能和影像特征等方面的多种改善。在印版前体领域中的最新发展涉及使用可以通过激光或者激光二极管成像的辐 射敏感组合物。因为可以通过电脑直接控制激光，所以激光曝光不需要传统的卤化银图像 胶卷作为中间信息载体(或“掩模”)。用在市售图像照排机中的高性能激光或激光二极管 通常发射在电磁波谱的特定区域中的辐射，由此要求辐射敏感组合物在适合于特定成像激 光的区域内是感光的。辐射敏感组合物和其中包含了它们的可成像元件通常是负片型或正片型的。对于 负片型可成像元件，在辐射敏感组合物中的曝光区域被硬化，而非曝光区域则通常在显影 过程中被洗掉。对于正片型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可成像元件，其包含其上具有可成像层的基板，所述可成像层包括具有１Ｈ－四唑基团的水不溶性而碱性溶液可溶的成分，条件是，当所述成分是具有连接在其上的１Ｈ－四唑基团的酚醛聚合物时，所述连接不是由硫连接基团提供的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-12-4 11/949810一种可成像元件，其包含其上具有可成像层的基板，所述可成像层包括具有1H-四唑基团的水不溶性而碱性溶液可溶的成分，条件是，当所述成分是具有连接在其上的1H-四唑基团的酚醛聚合物时，所述连接不是由硫连接基团提供的。2.权利要求1所述的元件，其中所述成分为主链上连接有IH-四唑基团的聚合物，并且 所述聚合物在PH等于或小于13. 5的碱性显影液中是可溶的。3.权利要求2所述的元件，其中基于总可成像层干重，所述聚合物在可成像层中的存 在量为至少5 %至高达并包括95 %。4.权利要求1所述的元件，其中所述IH-四唑在其5-位上连接至氮原子。5.权利要求2所述的元件，其中所述IH-四唑基团在所述聚合物中足以提供所述聚合 物中存在的所有酸性基团中的至少50mol%。6.权利要求1所述的元件，其为具有250-700nm的光谱灵敏度的负片型元件，并且所述 具有IH-四唑基团的成分为非聚合物型可自由基聚合化合物或具有侧链IH-四唑基团的聚 合物，所述聚合物任选还具有可自由基聚合反应性侧基。7.权利要求1所述的元件，其为具有700-1250nm的光谱灵敏度的负片型元件，并且所 述具有IH-四唑基团的成分为非聚合物型可自由基聚合化合物或具有侧链IH-四唑基团的 聚合物。8.权利要求1所述的元件，其为负片型可成像元件，其中所述可成像层包含可自由基聚合成分，引发剂组合物，其在曝光于成像辐射时能够产生足够引发可自由基聚合基团发生聚合 反应的自由基，辐射吸收化合物，和主链上连接有足够量的侧链IH-四唑基团的聚合物，从而使得，只有在曝光于成像辐 射之前，所述可成像层才在PH小于13. 5的显影液中是可溶的。9.权利要求8所述的元件，其中，所述聚合物由下面结构式(I)表示-(A)x-(B)y-(I)其中A表示包含所述IH-四唑基团的重复单元，B表示不包含IH-四唑基团的重复单 元，χ 为 3 IOOmol %，且 y 为 97mol %。10.权利要求9所述的元件，其中，χ为3 90mol%，且y为10 97mol%，且B表示 衍生自一种或多种下列化合物的重复单元(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰胺、(甲基) 丙烯腈、苯乙烯或苯乙烯衍生物、醋酸乙烯酯、乙烯基吡咯烷酮、乙烯醇、马来酰亚胺或开环 马来酸酐的半酯。11.权利要求9所述的元件，其中，X为3 90mol%，且y为10 97mol%，A表示包 含衍生自一种或多种烯键式不饱和可聚合单体的碳-碳主链的重复单元，并且所述IH-四 唑基团通过连接基团L连接至所述主链，所述连接基团包括-C ( = 0)-NR1-,-NR1-,-NR1-(C =0)-NR2-、-S-、-OCO ( = 0)-、或-CH = N-基团、或它们的组合，且R1和R2独立地为氢或 烷基、芳基、或环烷基。12.权利要求1所述的元件，其为正片型可成像元件，包括至少一层可成像层，该成像层包含主链和在主链上连接的所述侧链IH-四唑基团的聚合物。13.权利要求12所述的元件，其中所述聚合物由下面结构式(I)表示-(A)x-(B)y-(I)其中A表示包含所述IH-四唑基团的重复单元，B表示不包含IH-四唑基团的重复单 元，χ 为 3 IOOmol %，且 y 为 97mol %。14.权利要求13所述的元件，其中，χ为3 97mol%，y为3 97mol%，A表示重复...

【专利技术属性】
技术研发人员：H鲍曼，U德瓦斯，B施特勒梅尔，C辛普森，C萨瓦里亚豪克，G豪克，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]