【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装，更具体地，本专利技术涉及一种用于引线结合的银(Ag)基合金引线。
技术介绍
在半导体封装中，半导体芯片利用引线结合法电连接到封装基板上。 在传统的半导体封装中，半导体芯片的铝垫和封装基板利用金(Au)引线 结合。由于金具有高化学稳定性和高导电性，所以其己经得到广泛使用。 然而，为了满足对于降低半导体工业成本并解决金价造成的成本增加的持 续要求，需要一种代替金引线的新引线。例如，日本专利申请公开号第1998-326803、 1999-67811、 1999-67812、 以及2000-150562号公开了 Au-Ag合金引线。然而，此Au-Ag合金引线 仍然包括高组成比例的Au，其限制了成本的降低。比传统的Au引线便宜30%到50%的Ag引线可以认为是另一实例。 然而，Ag引线具有结合到铝(Al垫)时存在可靠性的问题。具体如图l 所示，当进行高湿度可靠性试验时，Ag引线和Al垫的结合表面最有可能 受到侵蚀或出现芯片裂纹，使得结合强度显著降低。高湿度可靠性试验总 体上利用压力蒸煮锅试验(PCT)进行。即使在PCT中96小时后，Au引 ...
【技术保护点】
一种用于半导体封装的Ａｇ基合金引线，所述Ａｇ基合金引线包括含量为０．０５～５ｗｔ％的从由铂（Ｐｔ）、钯（Ｐｄ）、铑（Ｒｈ）、锇（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、以及镍（Ｎｉ）组成的组中选取的第一添加成分中的至少一种，且所述Ａｇ基合金引线所包括的其余的成分是Ａｇ。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体封装的Ag基合金引线，所述Ag基合金引线包括含量为0.05～5wt％的从由铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、锇(Os)、金(Au)、以及镍(Ni)组成的组中选取的第一添加成分中的至少一种，且所述Ag基合金引线所包括的其余的成分是Ag。2. 根据权利要求l所述的Ag基合金引线，其中第一添加成分包括含 量为0.05 5wt^的钯(Pd)。3. —种用于半导体封装的Ag基合金引线，所述Ag基合金引线包括 含量为3wtppm 5wt^的由铜(Cu)、铍(Be)、钙(Ca)、镁(Mg)、钡(Ba)、镧(La)、铈(Ce)以及钇(Y)组成的组中选取的第二添加成分 中的至少一种，且所述Ag基合金引线所包括的其余的成分是Ag。4. 根据权利要求3所述的Ag基合金引线，其中第二添加成分包括含量 为0.01 5wt^的铜(Cu)。5. 根据权利要求3所述的Ag基合金引线，其中第二添加成分包括含 量为3...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹宗秀，文晶琸，
申请(专利权)人：MK电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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