半导体器件用接合线及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件用接合线及其制造方法，并且更具体地，涉及包括以下步骤的半导体器件用接合线的制造方法：在具有第一金属作为主要组分的芯材料上形成具有第二金属作为主要组分的第一涂层；对在其上形成了所述第一涂层的所述芯材料进行拉线；以及在已经完成了所述拉线的所述芯材料和所述第一涂层上形成具有第三金属作为主要组分的第二涂层。当使用本发明专利技术的接合线和其制造方法时，可以降低对芯片的损害，同时防止芯材料暴露，并且提高耐酸性和第二侧面的接合性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的构思涉及，并且更具体涉及半导体器 件用接合线及其制造方法，能够降低对芯片的损害，同时防止芯材料暴露，并且提高耐酸性 和在第二侧面处的接合性。
技术介绍
在用于安装半导体器件的封装件中存在多种结构。接合线广泛用于连接基板和半 导体器件或连接多个半导体器件。已经广泛使用金接合线作为接合线。然而，因为金接合 线价格高并且其价格最近迅速上涨，对可以代替金接合线的接合线的需求增加。 为了代替金接合线，已经完成了许多研宄和努力。铜（Cu)接合线被给予了很高的 期望。因为单层Cu接合线的表面容易在空气中氧化，对焊盘或引线的接合性可能会变差。 为了解决该问题，提出了通过用另一种金属覆盖单层Cu接合线的表面得到的多层Cu接合 线。 当在Cu芯材料上形成异种金属并且进行多次拉线以便制造多层Cu接合线时，异 种金属可能消去从而可能使Cu芯材料暴露。当使Cu芯材料暴露时，可能会出现与单层Cu 接合线的问题相同的问题。因此，当将这种多层Cu接合线应用于半导体器件时，可能会出 现缺陷。 此外，需要提高多层Cu接合线与焊盘或引线的接合性。 专利技术构思详述 技术问题 本专利技术的构思提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件用接合线，所述接合线包括：芯材料，所述芯材料具有作为主要组分的第一金属；第一涂层，所述第一涂层形成在所述芯材料的表面上，并且具有作为主要组分的第二金属，所述第二金属的组分和组成与所述第一金属的组分和组成不同；和第二涂层，所述第二涂层包围所述芯材料和所述第一涂层，并且具有作为主要组分的第三金属，所述第三金属的组分和组成与所述第二金属的组分和组成不同，其中所述第一金属是Cu、Ag或它们的合金，所述第二金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金，所述第三金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金，并且所述第二涂层的表面具有约1nm至约6nm的粗糙度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相烨，文晶琸，洪性在，金承贤，
申请(专利权)人：MK电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR