接合银浆的方法技术

本发明专利技术提供一种接合银浆的方法。该方法包括制备含有银粉末和铅粉末的银浆，以及加热银浆。然后接合银粉末。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2013年12月30日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2013-0167817号的优先权和权益，其全部内容并入本文以供参考。
本专利技术涉及。更具体地，本专利技术提供用于接合半导体装置的银浆接合方法。
技术介绍
根据应用设备的尺寸和容量近来变大的趋势，对具有高击穿电压、高电流和高速开关特性的电力用半导体装置的需求持续增加。在半导体装置当中，碳化硅(SiC)半导体装置可具有优点。例如，由于碳化硅半导体装置比常规的硅(Si)半导体装置具有更宽的带隙，因此可在升高的温度更稳定地实施半导体特性。然而，在升高的温度可能额外地需要稳定地应用包装材料，以获得相当高温的操作效果。特别地，由于用于接合半导体装置的常规焊料具有小于约230°C的熔融温度，所以焊料无法在可应用和操作碳化硅半导体装置的约250°C或更高的接合温度使用。近来，已提出包括金(Au)等的高温焊料作为替代物以代替常规焊料，但已经报道高温焊料更昂贵并具有降低的特性例如接合强度。上述在该
技术介绍
部分公开的信息仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此其可能含有不构成在该国本领域普通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接合银浆的方法，包括：制备包括多个银粉末和多个铅粉末的银浆；加热所述银浆；以及接合所述银粉末。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪坰国，郑永均，李钟锡，千大焕，姜修槟，
申请(专利权)人：现代自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR