半导体功率晶体的焊线结构制造技术

本实用新型专利技术半导体功率晶体的焊线结构，其主要用于小外观（ｓｍａｌｌ　　ｏｕｔｌｉｎｅ）封装的半导体功率晶体，且小外观导线架为共平面型。在本实用新型专利技术焊线结构中，导线架、功率晶体、金焊线等仍与已有技术没太大差异，但改用铝带和铜带其中之一焊接至第一电极（源极或阳极）以及导线架的第一电接脚、第二电接脚、第三电接脚。如此一来，若用铝带和铜带其中之一取代传统上的金焊线后，本实用新型专利技术焊线结构可以大幅降低约９０％的成本，同时其性能也优于金焊线。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术系关于一种半导体功率晶体的焊线结构，尤指用于小外观(smalloutline)封装的半导体功率晶体的焊线结构。
技术介绍
请参阅图1，图1为已有半导体功率晶体的焊线结构示意图。如图1所示，在已有焊线结构中，导线架13主要具有第一电接脚1至第八电接脚8的电性连接处以及装载功率芯片的承座(几乎被此芯片的源极10a遮蔽处)，而此功率芯片则具有源极10a、在同一表面上的栅极10b以及漏极(未描绘；在相对于源极10a另一面上)。由于半导体功率晶体必须容纳极大的电流通过源极10a，因此源极10a所占面积才会几乎涵盖了整个晶体表面，同时也须借着数条较长与较短的金焊线12a连通源极10a和导线架13的第一电接脚1、第二电接脚2、第三电接脚3。反观栅极10b，由于属控制电极而不会有太大的电流通过，因此栅极10b所占的面积则远小于源极10a，且仅需单一条金焊线12b连接至第四电接脚4。至于漏极，则因为整个漏极与导线架的底部表面相贴，而导通至第五电接脚5至第八电接脚8，而不须有导线连接。然而，导通源极10a和第一电接脚1、第二电接脚2、第三电接脚3的该群金焊线12a，由于其属于相当昂贵的黄金，导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率晶体的焊线结构，系用于一小外观（ｓｍａｌｌ　　ｏｕｔｌｉｎｅ）封装的该半导体功率晶体，且该小外观导线架为共平面型，其特征在于，该焊线结构包含：　　　　一导线架，系包含一第一电接脚、一第二电接脚、一第三电接脚、一第四电接脚；　　　　一功率晶体，系具有一第一电极和一第二电极；　　　　一焊线，其两端分别被焊接至该第二电极和该第四电接脚；以及　　　　至少一铝带和铜带其中之一，其两端分别被焊接至该第一电极以及该第一电接脚、该第二电接脚、该第三电接脚。

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率晶体的焊线结构，系用于一小外观(small outline)封装的该半导体功率晶体，且该小外观导线架为共平面型，其特征在于，该焊线结构包含一导线架，系包含一第一电接脚、一第二电接脚、一第三电接脚、一第四电接脚；一功率晶体，系具有一第一电极和一第二电极；一焊线，其两端分别被焊接至该第二电极和该第四电接脚；以及至少一铝带和铜带其中之一，其两端分别被焊接至该第一电极以及该第一电接脚、该第二电接脚、该第三电接脚。2.根据权利要求1所述的半导体功率晶体的焊线结构，其特征在于，该小外观(smalloutline)封装可为小外观晶体管(small outline transistor，SOT)、小外观封装(small outline package，SOP)、小外观二极管(small outline diode，SOD、收缩型小外观封装(shrink small outline package，SSOP)、薄型小外观封装(thin small outline package，TSOP)、薄且收缩型小外观封装(thin shrinksmall...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家州，
申请(专利权)人：勤益电子上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]