刻蚀工艺用的挡片及防止挡片跳片的方法技术

本发明专利技术公开了一种刻蚀工艺用的挡片，包括晶圆衬底及其上的暖机膜层，所述晶圆衬底下具有一层防止跳片的绝缘膜层。本发明专利技术还公开了一种防止挡片跳片的方法，包括在所述挡片的晶圆衬底底部生长一层防止跳片的绝缘膜层。本发明专利技术具有以下优点：可以增加挡片的等效电阻，以此来削弱挡片在放电时的振动，由此可以有效减小跳片的几率；本发明专利技术增加绝缘膜层也增加了挡片的重量，可以减小振动的强度；另外绝缘层可反复使用，具有成本低的优点。

Blocking plate for etching process and method for preventing stop piece from jumping

The invention discloses a barrier plate for etching process, which comprises a wafer substrate and a warming machine film layer on the wafer substrate, wherein the wafer substrate has an insulating film layer to prevent the jumping film. The invention also discloses a method for preventing the blocking piece from jumping, which comprises an insulating film layer which prevents the jumping film at the bottom of the wafer substrate of the blocking piece. The invention has the following advantages: can increase the equivalent resistance of retaining plate, in order to weaken the vibration plate in the discharge, which can effectively reduce the probability of jumping pieces; the invention increases the insulating film also increases the block weight, can reduce the vibration strength; in addition the insulating layer can be used repeatedly, has the advantages of low cost the.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种刻蚀工艺用的挡片，本专利技术还涉及一种刻蚀工艺中防止挡片跳片的方法。
技术介绍
如图1所示，在半导体刻蚀工艺中，为了减少刻蚀反应室内聚合物的积累对刻蚀 制程带来的影响，在进行刻蚀之前，都要用挡片进行暖机。电路模块的高压回路能够在刻蚀 工艺中使静电吸附盘吸附住挡片(晶圆)，而在刻蚀工艺完成后释放晶圆表面的电子e+。将 挡片进行重复性测试的步骤为挡片进入主刻蚀反应室内暖机；挡片进入自对准腔体内自 对准；挡片进入主刻蚀反应室内暖机......如此反复。 如图2所示，曲线1为现有的刻蚀工艺中暖机次数和晶圆的直流偏压的关系曲线， 随着暖机次数的增加直流偏压极速降低，说明晶圆对电子的束缚能力降低，即电阻率降低； 曲线2为刻蚀工艺中暖机次数和刻蚀后晶圆的偏移量的关系曲线，随着机台的老化，随着 暖机次数的增加暖机膜层厚度的减少，晶圆的偏移量急剧增大，偏移范围为35mm。由于每一 次刻蚀都会减少晶圆表面暖机膜层的厚度，当第8次刻蚀后，晶圆表面暖机膜层已经被刻 蚀完，直流偏压急速降低，因此会频繁发生挡片在刻蚀反应室内跳片的现象，这将导致之后 在自对准腔体内出现挡片的自对准失败，严重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀工艺用的挡片，包括晶圆衬底及其上的暖机膜层，其特征在于，所述晶圆衬底下具有一层防止跳片的绝缘膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏军，殷冠华，许昕睿，林俊毅，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]