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本发明公开了一种刻蚀工艺用的挡片，包括晶圆衬底及其上的暖机膜层，所述晶圆衬底下具有一层防止跳片的绝缘膜层。本发明还公开了一种防止挡片跳片的方法，包括在所述挡片的晶圆衬底底部生长一层防止跳片的绝缘膜层。本发明具有以下优点：可以增加挡片的等效电...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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