【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种防静电器件、防静电器件的制造方法以及包括该防静电器件的基板。
技术介绍
液晶显示器的阵列基板包括像素单元和驱动该像素单元的薄膜晶体管。通常,在生产薄膜晶体管时,由于摩擦等原因,会在薄膜晶体管的不同的导电层上产生静电,当静电积累到一定程度就会出现静电击穿现象,这会导致阵列基板上的像素电路短路而受损。为了防止出现静电击穿现象,一般需要在制造薄膜晶体管的同时形成一个防静电器件,以避免在不同的导电层之间出现静电击穿现象。图1显示现有技术中的一种防静电器件的剖视图。如图1所示,该防静电器件主要包括第一导电层11、形成在第一导电层11上的第一绝缘层12、形成在第一绝缘层12上的第二导电层15、形成在第二导电层15上的第二绝缘层16、形成在第二绝缘层16中的过孔02、形成在第二绝缘层16和第一绝缘层12中的过孔03、和形成在第二绝缘层16上的第三导电层17。如图1所示,在现有技术中,该防静电器件的第二导电层15经由过孔02与第三导电层17电连接,第三导电层17经由过孔03与第一导电层11电连接。因此,在现有技术中,在形成第三导电层17之前,第二导电层15与第一导电层11之间是相互电隔离开的。因此,在形成第三导电层17之前,在第二导电层15与第一导电层11之间存在电压差(因为在制造的过程中,例如,摩擦等原因,会导致第二导电层15和第一导电层11上存在静电,当静电积累到一定程度就会 ...
【技术保护点】
一种防静电器件,其特征在于,包括:第一导电层(110);第一绝缘层(120),形成在所述第一导电层(110)上;有源层(130),形成在所述第一绝缘层(120)上;刻蚀阻挡层(140),形成在所述有源层(130)上;第二导电层(150),形成在所述刻蚀阻挡层(140)上,包括相互隔开的第一部分(151)和第二部分(152);其中,所述第二导电层(150)的第一部分(151)和第二部分(152)分别通过形成在所述刻蚀阻挡层(140)中的第一过孔(10)和第二过孔(20)与所述有源层(130)电连接;所述第二导电层(150)的第一部分(151)和第二部分(152)中的一个通过贯穿所述刻蚀阻挡层(140)和所述第一绝缘层(120)的第五过孔(50)与所述第一导电层(110)电连接。
【技术特征摘要】
1.一种防静电器件,其特征在于,包括:
第一导电层(110);
第一绝缘层(120),形成在所述第一导电层(110)上;
有源层(130),形成在所述第一绝缘层(120)上;
刻蚀阻挡层(140),形成在所述有源层(130)上;
第二导电层(150),形成在所述刻蚀阻挡层(140)上,包括相互隔开的第一部分(151)和第二部分(152);
其中,所述第二导电层(150)的第一部分(151)和第二部分(152)分别通过形成在所述刻蚀阻挡层(140)中的第一过孔(10)和第二过孔(20)与所述有源层(130)电连接;
所述第二导电层(150)的第一部分(151)和第二部分(152)中的一个通过贯穿所述刻蚀阻挡层(140)和所述第一绝缘层(120)的第五过孔(50)与所述第一导电层(110)电连接。
2.根据权利要求1所述的防静电器件,其特征在于,还包括:
第二绝缘层(160),形成在所述第二导电层(150)上;和
第三导电层(170),形成在所述第二绝缘层(160)上,
所述第二导电层(150)的第一部分(151)和第二部分(152)分别通过形成在所述第二绝缘层(150)中的第三过孔(30)和第四过孔(40)与所述第三导电层(170)电连接。
3.根据权利要求2所述的防静电器件,其特征在于:
所述第三导电层(170)为由铟锡氧化物制成的透明导电层。
4.根据权利要求2所述的防静电器件,其特征在于:
所述第一绝缘层(120)和所述第二绝缘层(160)为由无机绝缘材料制成的钝化保护层。
5.根据权利要求4所述的防静电器件,其特征在于:
所述第一绝缘层(120)和所述第二绝缘层(160)由二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅,氧化铝或氧化钛制成。
6.根据权利要求1所述的防静电器件,其特征在于:
...
【专利技术属性】
技术研发人员:任兴凤,汪森林,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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