Including the method of forming a pattern: in the film, film etching barrier layer is formed on the substrate; the etching barrier includes a plurality of spaced, parallel line forming a first pattern layer; in the first line of the side wall of the second line, the second line width is equal to the width of the first line second, with the first line of different materials; in the second side wall in third lines, third lines of the same width with the first line; the growth of fourth line side wall extension in the third line, fourth line width is identical with the first line, fourth lines and third lines of different materials; the removal is not first-line, the second line, third line, fourth line covering the etching barrier layer exposed film; epitaxial growth of fifth in the film on the line, fourth line fifth line materials and different materials; second, the removal of the fourth line, the final form The patterns include the first, the third and the fifth. The pattern has a uniform arrangement density and a better linewidth, and the semiconductor device formed by the pattern has good performance.
【技术实现步骤摘要】
图案的形成方法
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种图案的形成方法。
技术介绍
在半导体
,为提高半导体器件的性能和降低生产成本,集成电路的集成度越来越高,集成电路上的晶体管的特征尺寸越来越小。据此,在具体生产中就需要提供更精密的技术,在半导体衬底上形成更精细的图案。在现有技术中,光刻技术可以在衬底上定义并形成半导体器件的图案,并得到广泛应用。但是,随着半导体工艺节点进入到65纳米、45纳米,甚至更低的32纳米,当光刻技术中曝光线条的特征尺寸接近于曝光系统的理论分辨极限时,衬底表面的成像就会发生严重的畸变,从而导致光刻图形质量的严重下降。因此,业界提出了光刻分辨率增强技术(RET,ResolutionEnhancementTechnology),目前,普遍使用自对准双重图案技术(SADP,Self-AlignedDoublePatterningTechnology)。下面结合附图图1至图5具体说明现有采用SADP技术形成精细图案的方法,包括以下步骤:参照图1,在半导体衬底100上形成膜层101,在膜层101上形成牺牲层102;参照图1和图2,使用光刻、刻蚀技术,图形化所述牺牲层102,形成牺牲线103;参照图3,使用化学气相沉积工艺,沉积介质层104,覆盖膜层101、牺牲线103;参照图4,使用回刻工艺,去除膜层101表面、牺牲线103表面的介质层,剩余牺牲线103延伸方向的两相对侧壁的介质层为侧墙105;参照图4和图5,以侧墙105为掩模,刻蚀去除牺牲线103、膜层101,暴露衬底100,形成线106;参照图6,去除侧墙105。继续参照图6, ...
【技术保护点】
一种图案的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有膜层、位于所述膜层上的刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层上形成包括多个等间距、平行排列第一线的第一图案,第一图案的孔距为最终形成图案孔距的四倍;在所述第一线延伸方向的两相对侧壁形成第二线,其中,第二线的线宽等于第一线的线宽,第二线的材料与第一线的材料不同,所述第二线和第一线具有不同的刻蚀选择比;在所述第二线与第一线相对且远离第一线的侧壁形成第三线,第三线的线宽与第一线的线宽相同;在所述第三线与第二线相对且远离第二线的侧壁外延生长形成第四线,第四线的线宽与第一线的线宽相同,第四线的材料与第三线的材料不同,所述第三线和第四线具有不同的刻蚀选择比;去除未被第一线、第二线、第三线、第四线覆盖的刻蚀阻挡层,暴露膜层;在所述暴露的膜层上外延生长形成第五线,第五线的材料与第四线的材料不同,所述第五线和第四线具有不同的刻蚀选择比;去除第二线、第四线,最终形成的图案包括第一线、第三线和第五线。
【技术特征摘要】
1.一种图案的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有膜层、位于所述膜层上的刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层上形成包括多个等间距、平行排列第一线的第一图案,第一图案的孔距为最终形成图案孔距的四倍;在所述第一线延伸方向的两相对侧壁形成第二线,其中,第二线的线宽等于第一线的线宽,第二线的材料与第一线的材料不同,所述第二线和第一线具有不同的刻蚀选择比;在所述第二线与第一线相对且远离第一线的侧壁形成第三线,第三线的线宽与第一线的线宽相同;在所述第三线与第二线相对且远离第二线的侧壁外延生长形成第四线,第四线的线宽与第一线的线宽相同,第四线的材料与第三线的材料不同,所述第三线和第四线具有不同的刻蚀选择比;去除未被第一线、第二线、第三线、第四线覆盖的刻蚀阻挡层,暴露膜层;在所述暴露的膜层上外延生长形成第五线,第五线的材料与第四线的材料不同,所述第五线和第四线具有不同的刻蚀选择比;去除第二线、第四线,最终形成的图案包括第一线、第三线和第五线。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一线、第三线的材料均为多晶硅,第二线、第四线的材料均为锗硅;或者所述第一线的材料为光刻胶、无定形碳、或含硅抗反射层,第二线的材料为氮化硅或氧化硅,第三线的材料为多晶硅,第四线的材料为锗硅。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,当所述第一线的材料为多晶硅、无定形碳或含硅抗反射层,所述第一线的形成方法包括:沉积第一线材料,覆盖刻蚀阻挡层;在所述第一线材料上形成图形化的光刻胶层,定义第一线的位置;以所述图形化的光刻胶层为掩模,刻蚀第一线材料,形成第一线;去除图形化的光刻胶层。4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,当第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:王新鹏,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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