一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备技术

本发明专利技术公开一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备。本发明专利技术通过前工序处理器处理前工序；接着阻焊器阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处；然后二次干膜器盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置处，二次干膜；接着，软厚金电镀器电镀软厚金；然后退膜器退膜；接着三次干膜器盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处，三次干膜；然后硬厚金电镀器电镀硬厚金；接着退膜器退膜；然后碱性蚀刻器完成碱性蚀刻；接着后工序处理器处理后工序，从而达到实现去除在基板单元上留下的剩余的电镀引线的目的。

Method and device for processing electroplating lead of printed semiconductor circuit package substrate

The invention discloses a method and an apparatus for processing an electroplating lead of a printed semiconductor circuit package substrate. The present invention through the process before processing before the process; then the solder solder pad is in the required position of the plating lead removal; then two dry film is covered with electric hard thick position and desired position of the plating lead removal, two dry film; then, soft thick gold plating is soft and thick gold plating; back membrane stripping; then three dry film is covered in soft thick electric position and desired position of the plating lead removal, three dry film; then the hard thick gold plating hard thick gold plating; then back membrane stripping; then alkaline etching is performed after alkaline etching; then process the processor for processing process. In order to achieve removal of left in the substrate unit for the remainder of the plating lead to.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及印刷电路板
，尤其涉及一种处理印刷半导体电路封装 基板电镀弓I线的方法及设备。
技术介绍
随着集成电路发展的小型化和薄形化，对集成电路封装的要求也随之提高， 其中对封装基板的要求更向着轻，薄，短，小的方向发展，以保证良好的电性 能。为达到以上的要求，很高的布线密度是必需的，其中封装基板外层线路电 镀引线的结构对布线的密度和封装后的电性能有着很大的影响。现有的印刷半导体电路封装基板电镀公用连接线的布置方法在实现电镀 后，都是通过去掉基板上电镀总线的方式将电镀引线彼此间分离，这种处理方 式会在基板单元上留下剩余的电镀引线。此种剩余的电镀引线情况对用于高频、 高速的封装基板上的高速信号线形成信号的损失和干扰，影响信号的完事性。 同时增加了布线的难度，甚至在甚高密度布线的情况下不可能实现电镀引线的 排布。现有技术还无法实现去除在基板单元上留下的剩余的电镀引线。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引 线的方法及设备。根据本专利技术的一个方面，本专利技术的目的在于提供一种处理印刷半导体电路 封装基板电镀引线的方法，包括阻焊、二次干膜、电镀镍金(软厚金)、退膜、 三次干膜、电镀镍金(硬厚金)、退膜、碱性蚀刻。其中，所述阻焊步骤之前还包括前工序。其中，所述碱性蚀刻之后还包括后工序。其中，所述阻焊的步骤包括阻焊开窗在所需去除的电镀弓I线位置处。其中，所述二次干膜的步骤包括盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置处，二次干膜。其中，所述三次干膜的步骤包括盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处，三次干膜。 根据本专利技术的另一个方面，本专利技术的目的在于还提供一种处理印刷半导体 电路封装基板电镀引线的设备，包括-阻焊器，用于阻焊；二次干膜器，用于在所述阻焊器阻焊之后，二次干膜； 镍金(软厚金)电镀器，用于在所述二次干膜器干膜之后，电镀镍金(软 厚金)；三次干膜器，用于在所述退膜器退膜之后，所述镍金(硬厚金)电镀器电 镀镍金(硬厚金)之前，三次干膜。镍金(硬厚金)电镀器，用于在所述三次干膜器三次干膜之后，电镀镍金 (硬厚金);退膜器，用于在所述镍金(软厚金)电镀器电镀镍金(软厚金)之后，退 膜；以及用于在所述镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)之后，退膜；碱性蚀刻器，用于在所述镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)之后， 退膜器退膜之后，碱性蚀刻。其中，还包括前工序处理器，用于在所述阻焊器阻焊之前，处理前工序。 其中，还包括后工序处理器，用于在所述碱性蚀刻器碱性蚀刻之后，处理后工序。 其中，所述阻焊器，用于阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处；所述二 次干膜器，用于盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置处，二次干膜；所 述三次干膜器，用于盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处，三次干膜。 本专利技术通过前工序处理器处理前工序；接着阻焊器阻焊开窗在所需去除的 电镀引线位置处；然后二次干膜器盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置 处，二次干膜；接着，镍金(软厚金)电镀器电镀镍金(软厚金)；然后退膜器 退膜；接着三次干膜器盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处，三次干 膜；然后镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)；接着退膜器退膜；然后碱 性蚀刻器完成碱性蚀刻；接着后工序处理器处理后工序，从而达到实现去除在 基板单元上留下的剩余的电镀引线的目的。 附图说明图1为本专利技术处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法的流程图； 图2为本专利技术处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法实施例的示意图；图3为本专利技术处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备的示意图； 图4为本专利技术处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备实施例的示意图。具体实施方式本专利技术提供一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法及设备，应 用于印刷电路板
，其基本思路是前工序、阻焊、二次干膜、电镀镍 金(软厚金)、退膜、三次干膜、电镀镍金(硬厚金)、退膜、碱性蚀刻、后工 序，从而达到实现去除在基板单元上留下的剩余的电镀引线的目的。为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实 施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅 仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参见图1，为本专利技术处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法的流 程图，该处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法包括步骤阻焊、二次 干膜、电镀镍金(软厚金)、退膜、三次干膜、电镀镍金(硬厚金)、退膜、碱 性蚀刻。其中，阻焊的过程包括阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处。 其中，二次干膜的过程包括盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置 处，二次干膜。其中，三次干膜的过程包括盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置 处，三次干膜。下面结合本专利技术的处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法实施例及 其附图，对本专利技术的处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法进行详细描 述。请参见图2，为本专利技术处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法实施 例的示意图，该处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法实施例包括步骤: 前工序、阻焊、二次干膜、电镀镍金(软厚金)、退膜、三次干膜、电镀镍金(硬 厚金)、退膜、碱性蚀刻、后工序。其中，阻焊的过程包括阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处。其中，二次干膜的过程包括盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置 处，二次干膜。其中，三次干膜的过程包括盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置 处，三次干膜。本专利技术还提供一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备，请参见 图3，为本专利技术处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备的示意图，该处 理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备包括阻焊器，用于阻焊；二次干膜器，用于在阻焊器阻焊之后，二次干膜；镍金(软厚金)电镀器，用于在二次干膜器干膜之后，电镀镍金(软厚金);三次干膜器，用于在退膜器退膜之后，镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬 厚金)之前，三次干膜。镍金(硬厚金)电镀器，用于在三次干膜器三次干膜之后，电镀镍金(硬 厚金)；退膜器，用于在镍金(软厚金)电镀器电镀镍金(软厚金)之后，退膜； 以及用于在镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)之后，退膜；碱性蚀刻器，用于在镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)之后，退 膜器退膜之后，碱性蚀刻。其中，阻焊器用于阻悍开窗在所需去除的电镀引线位置处。其中，二次干膜器用于盖住电硬厚位置和所需去除的电镀引线位置处，二 次干膜。其中，三次干膜器用于盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线位置处，三 次干膜。本专利技术处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备应用阻焊器首先阻焊 开窗在所需去除的电镀引线位置处；然后二次干膜器盖住电硬厚位置和所需去 除的电镀引线位置处，二次干膜；接着镍金(软厚金)电镀器电镀镍金(软厚 金)；然后退膜器退膜；接着三次干膜器盖住电软厚位置和所需去除的电镀引线 位置处，三次干膜；然后镍金(硬厚金)电镀器电镀镍金(硬厚金)；接着退膜 器退膜；最后碱性蚀刻器完成碱性蚀刻。下面结合本专利技术的处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备实施例及 其附图，对本专利技术的处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备进行详细描请参见图4，为本专利技术处理印刷半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法，其特征在于，包括：　阻焊、二次干膜、软厚金电镀、退膜、三次干膜、硬厚金电镀、退膜、碱性蚀刻。

【技术特征摘要】
1、一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法，其特征在于，包括阻焊、二次干膜、软厚金电镀、退膜、三次干膜、硬厚金电镀、退膜、碱性蚀刻。2、 如权利要求1所述的处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法，其特征在于，所述阻焊步骤之前还包括前工序。3、 如权利要求1所述的处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法，其 特征在于，所述碱性蚀刻之后还包括后工序。4、 如权利要求1或2或3所述的处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的方法，其特征在于，所述阻焊的步骤包括阻焊开窗在所需去除的电镀引线位置处。5、 如权利要求1或2或3所述的处理印刷半导体电路封装基板电鍍引线的方法，其特征在于，所述二次干膜的步骤包括盖住硬厚金电镀位置和所需去除的电镀引线位置处，二次干膜。6、 如权利要求1或2或3所述的处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的 方法，其特征在于，所述三次干膜的步骤包括-盖住软厚金电镀位置和所需去除的电镀引线位置处，三次干膜。7、 一种处理印刷半导体电路封装基板电镀引线的设备，其特征在于，包括: 阻焊器，用于阻焊；二次千膜器，用于在所述阻焊器阻焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘井基，
申请(专利权)人：深圳市深联电路有限公司，
类型：发明
国别省市：94[]