本发明专利技术涉及一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法，所述结构包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）内部设置有基岛（2）和引脚（3），所述基岛（2）背面与引脚（3）的台阶面齐平，所述引脚（3）的台阶面上设置有金属层（4），所述基岛（2）背面正装有芯片（6），所述芯片（6）表面与金属层（4）表面之间通过金属线（7）相连接，所述金属基板框（1）内部区域填充有塑封料（8），所述塑封料（8）正面与引脚（3）台阶面齐平，所述塑封料（8）背面与金属基板框（1）背面齐平，所述基岛（2）正面、引脚（3）的正面和背面以及金属基板框（1）的正面和背面设置有抗氧化层（9），所述引脚（3）背面设置有金属球（10）。本发明专利技术的有益效果是：它能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，属于半导体封装
。
技术介绍
传统的四面扁平无引脚金属引线框结构主要有两种: 一种是四面扁平无引脚封装(QFN)引线框，这种结构的引线框由铜材金属框架与耐高温胶膜组成(如图23所示)； 一种是预包封四面扁平无引脚封装(PQFN)引线框，这种结构的引线框结构包括引脚与基岛，引脚与基岛之间的蚀刻区域填充有塑封料(如图24所示)。上述传统金属引线框存在以下缺点: 1、传统金属引线框作为装载芯片的封装载体，本身不具备系统功能，从而限制了传统金属引线框封装后的集成功能性与应用性能； 2、由于传统金属引线框本身不具备系统功能，只能在引线框正面进行芯片及组件的平铺或者堆叠封装，而功率器件与控制芯片封装在同一封装体内，功率器件的散热会影响控制芯片信号的传输； 3、由于传统金属引线框本身不具备系统功能，所以多功能系统集成模块只能在传统金属引线框正面通过多芯片及组件的平铺或堆叠而实现，相应地也就增大元器件模块在PCB上所占用的空间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种，它能够解决传统金属引线框缺乏系统功能的问题。本专利技术的目的是这样实现的:一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构，它包括金属基板框，所述金属基板框内部设置有基岛和引脚，所述引脚呈台阶状，所述基岛和引脚的正面与金属基板框正面齐平，所述引脚的背面与金属基板框的背面齐平，所述基岛背面与引脚的台阶面齐平，所述引脚的台阶面上设置有金属层，所述基岛背面通过导电或不导电粘结物质正装有芯片，所述芯片表面与金属层表面之间通过金属线相连接，所述金属基板框内部区域填充有塑封料，所述塑封料正面与引脚台阶面齐平，所述塑封料背面与金属基板框背面齐平，所述基岛正面、引脚的正面和背面以及金属基板框的正面和背面设置有金属抗氧化层或是披覆抗氧化剂(OSP)，所述引脚背面设置有金属球。所述芯片与基岛背面之间设置有金属层。—种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的工艺方法，所述方法包括以下步骤: 步骤一、取金属基板 步骤二、贴光阻膜作业 在金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行电镀的区域；步骤四、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP) 在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域电镀上抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)； 步骤五、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤六、贴光阻膜作业 在步骤四完成电镀抗氧化金属层后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域； 步骤八、蚀刻 在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻； 步骤九、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤十、贴光阻膜作业 在步骤八完成蚀刻后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面蚀刻区域后续需要进行电镀的区域； 步骤十二、电镀金属线路层 在步骤十一中金属基板背面蚀刻区域去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面形成相应的基岛和引脚； 步骤十三、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤十四、装片 在步骤十二形成的基岛背面通过导电或不导电粘结物质植入芯片； 步骤十五、金属线键合 在芯片正面与步骤十二形成的引脚之间进行键合金属线作业； 步骤十六、环氧树脂塑封 在完成装片打线后的金属基板背面蚀刻区域进行环氧树脂塑封保护； 步骤十七、贴光阻膜作业 在步骤十六完成环氧树脂塑封后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十八、金属基板正面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤十七完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域； 步骤十九、蚀刻 在步骤十八中金属基板正面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻； 步骤二十、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤二 ^—、植球 在步骤二十去除光阻膜后的引脚背面植入金属球。当步骤四电镀的抗氧化金属层为镍金或镍钯金时，步骤六和步骤七可省略。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果: 1、金属减法技术引线框架的夹层可以因为系统与功能的需要而在需要的位置或是区域内埋入主动元件或是组件或是被动的组件，成为一个单层线路系统级的金属引线框架； 2、从金属减法技术引线框架成品的外观完全看不出来内部夹层已埋入了因系统或是功能需要的对象，尤其是硅材的芯片的埋入连X光都无法检视，充分达到系统与功能的隐密性及保护性； 3、金属减法技术引线框架的夹层在制作过程中可以埋入高功率器件，二次封装再进行控制芯片的装片，从而高功率器件与控制芯片分别装在金属减法技术引线框两侧，可以避免高功率器件因热辐射而干扰控制芯片的信号传输； 4、金属减法技术引线框架本身内含埋入对象的功能，二次封装后可以充分实现系统功能的集成与整合，从而同样功能的元器件模块的体积尺寸要比传统引线框封装的模块来的小，相应在PCB上所占用的空间也就比较少，从而也就降低了成本； 5、金属减法技术引线框架的夹层在制作过程中可以因为导热或是散热需要而在需要的位置或是区域内埋入导热或是散热对象，从而改善整个封装结构的散热效果； 6、金属减法技术引线框架成品本身就富含了各种的组件，如果不再进行后续第二次封装的情况下，将金属减法技术引线框架依照每一格单元切开，本身就可成为一个超薄的封装体； 7、金属减法技术引线框架除了本身内含对象的埋入功能之外还可以在封装体外围再叠加不同的单元封装或是系统级封装，充分达到单层线路金属引线框架的双系统或是多系统级的封装技术能力； 8、金属减法技术引线框架内所埋入的物件或对象均与金属厚度齐平，充分的体现出超薄与高密度的填充在金属减法技术引线框内的厚度空间之中。9、二次先蚀后镀金属框减法技术引线框会在金属引线框表面塑封料正面呈现一定的高低断差，其优点是在第二次塑封料塑封后可以牢牢的抓扣住金属凸点，从而降低了塑封体与金属引线框因为CTE (膨胀系数或是收缩率)的差距而产生分层的可靠性的不良。【附图说明】图广图21为本专利技术一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构工艺方法的各工序不意图。图22为本专利技术一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的示意图。图23为传统四面扁平无引脚封装(QFN)引线框结构的示意图。图24为预包封四面扁平无引脚封装(PQFN)引线框结构的示意图。其中: 金属基板框I 基岛2 引脚3 金属层4 导电或不导电粘结物质5 芯片6 金属线7 塑封料8 抗氧化层9 金属球10本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构，其特征在于：它包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）内部设置有基岛（2）和引脚（3），所述引脚（3）呈台阶状，所述基岛（2）和引脚（3）的正面与金属基板框（1）正面齐平，所述引脚（3）的背面与金属基板框（1）的背面齐平，所述基岛（2）背面与引脚（3）的台阶面齐平，所述引脚（3）的台阶面上设置有金属层（4），所述基岛（2）背面通过导电或不导电粘结物质（5）正装有芯片（6），所述芯片（6）表面与金属层（4）表面之间通过金属线（7）相连接，所述金属基板框（1）内部区域填充有塑封料（8），所述塑封料（8）正面与引脚（3）台阶面齐平，所述塑封料（8）背面与金属基板框（1）背面齐平，所述基岛（2）正面、引脚（3）的正面和背面以及金属基板框（1）的正面和背面设置有抗氧化层（9），所述引脚（3）背面设置有金属球（10）。
【技术特征摘要】
1.一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构，其特征在于:它包括金属基板框(1)，所述金属基板框(I)内部设置有基岛(2)和引脚(3)，所述引脚(3)呈台阶状，所述基岛(2)和引脚(3)的正面与金属基板框(I)正面齐平，所述引脚(3)的背面与金属基板框(O的背面齐平，所述基岛(2)背面与引脚(3)的台阶面齐平，所述引脚(3)的台阶面上设置有金属层(4)，所述基岛(2)背面通过导电或不导电粘结物质(5)正装有芯片(6)，所述芯片(6)表面与金属层(4)表面之间通过金属线(7)相连接，所述金属基板框(I)内部区域填充有塑封料(8)，所述塑封料(8)正面与引脚(3)台阶面齐平，所述塑封料(8)背面与金属基板框(I)背面齐平，所述基岛(2)正面、引脚(3)的正面和背面以及金属基板框(I)的正面和背面设置有抗氧化层(9)，所述引脚(3)背面设置有金属球(10)。2.根据权利要求1所述的一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构，其特征在于:所述芯片(6)与基岛(2)背面之间设置有金属层(4)。3.一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤: 步骤一、取金属基板 步骤二、贴光阻膜作业 在金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行电镀的区域；步骤四、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP) 在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域电镀上抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)； 步骤五、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤六、贴光阻膜作业 在步骤四完成电镀抗氧化金属层后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁志忠，梁新夫，王亚琴，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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