半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件。具体地，为了实现天线开关的成本降低，提供了一种技术，其可以尽可能多地降低在天线开关中产生的谐波失真，特别是在天线开关包括在硅衬底上方形成的场效应晶体管时。ＴＸ串联晶体管、ＲＸ串联晶体管和ＲＸ旁路晶体管中的每一个包括低压ＭＩＳＦＥＴ，而ＴＸ旁路晶体管包括高压ＭＩＳＦＥＴ。由此，通过减小构成ＴＸ旁路晶体管的高压ＭＩＳＦＥＴ的串行连接的数目，施加于各串联耦合的高压ＭＩＳＦＥＴ的电压幅度的不均匀性得以抑制。这样，可以抑制高阶谐波的产生。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括具有发射端、天线端和接收端的天线开关，所述天线开关包括：（ａ）多个第一ＭＩＳＦＥＴ，其串联耦合在所述发射端与所述天线端之间；（ｂ）多个第二ＭＩＳＦＥＴ，其串联耦合在所述接收端与所述天线端之间；（ｃ）多个第三ＭＩＳＦＥＴ，其串联耦合在所述发射端与ＧＮＤ端之间；以及（ｄ）第四ＭＩＳＦＥＴ，其耦合在所述接收端与所述ＧＮＤ端之间，其中所述第一ＭＩＳＦＥＴ、所述第二ＭＩＳＦＥＴ和所述第四ＭＩＳＦＥＴ中的每一个包括低压ＭＩＳＦＥＴ，而所述第三ＭＩＳＦＥＴ包括高压ＭＩＳＦＥＴ，所述高压ＭＩＳＦＥＴ的源极区与漏极区之间的击穿电压高于所述低压ＭＩＳＦＥＴ的源极区与漏极区之间的击穿电压，以及其中串联耦合在所述发射端与所述ＧＮＤ端之间的所述第三ＭＩＳＦＥＴ的数目少于串联耦合在所述接收端与所述天线端之间的所述第二ＭＩＳＦＥＴ的数目。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：后藤聪，三宅智之，近藤将夫，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]