半导体集成电路制造技术

一种半导体集成电路，将小振幅的差动信号输出到外部的线路驱动器中，在不增加运算放大器等差动放大器数量的情况下，使输出信号的振幅及补偿电位得以稳定。其包括：输出电路，包含多个晶体管，该晶体管被供给差动信号，进行开关动作；第１晶体管，接在第１电源电位和输出电路之间；第２晶体管，接在输出电路和第２电源电位之间；第３晶体管，与第１电源电位连接；第４晶体管，与第２晶体管一起构成电流镜像电路，使之流动与流向第２晶体管的电流成比例的电流；第１电阻和第２电阻，配置于流向第３晶体管和第４晶体管之间的电流路径上；差动放大器，对第１及第３晶体管的栅极电位进行控制，使第１电阻和第２电阻之间连接点上的电位接近指定电位。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体集成电路，其特征在于该电路包括：　　　　输出电路，包含多数个晶体管，该晶体管被供给差动信号，进行开关动作；　　　　第１晶体管，连接在第１电源电位和所述输出电路之间；　　　　第２晶体管，连接在所述输出电路和第２电源电位之间；　　　　第３晶体管，与第１电源电位连接；　　　　第４晶体管，与所述第２晶体管一起构成电流镜像电路，使之流动与流向第２晶体管的电流成比例的电流；　　　　第１电阻和第２电阻，配置于在所述第３晶体管和所述第４晶体管之间流动的电流的路径上；　　　　差动放大器，用来对所述第１及第３晶体管的栅极电位进行控制，以使所述第１电阻和所述第２电阻之间连接点上的电位接近指定电位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：面一幸，
申请(专利权)人：哉英电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]