半导体集成电路制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种可以减少电子部件的数量，可以降低整个装置的制造成本以及安装面积的半导体集成电路。在将半导体芯片单独收容在封装内，或者将半导体芯片与在周围连接的电子部件一同安装在基板上，使用绝缘材料进行注模的半导体集成电路中，具有：将一端与所述半导体芯片的外部端子连接，在另一端上连接静电保护用二极管（Ｄ１），并且被设置在所述半导体芯片内的电流限制用电阻（Ｒ１０）；以及在所述电流限制用电阻（Ｒ１０）的两端之间并联连接、设置在所述半导体芯片内的熔丝（ＦＳ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路，涉及将半导体芯片单独收容在封装内，或者 将半导体芯片与在周围连接的电子部件一同安装在基板上，并使用绝缘材料进行注模的半导体集成电路。
技术介绍
近年来，作为二次电池将锂离子电池安装在数字照相机等便携设备中。因 为锂离子电池不耐过充电以及过放电，所以以具备过充电以及过放电的保护电 路的电池组的方式来使用。图4表示了使用现有的保护电路的电池组的一例的电路结构图。在该图 中，锂离子电池10的正极、负极分别与电池组的外部端子B+、 B-连接。在 端子B+、 B-之间连接有电阻R1和电容器C1的串联电路。端子B+与电池组 的外部端子P+连接，端子B-经由用于切断电流的n沟道MOS (金属氧化膜 半导体)FET (电场效应晶体管)FET晶体管Ml、 M2与电池组的外部端子P -连接。此外，端子P+、 P-之间连接有电容器C2，在端子B-、 P-之间连接有 电容器C3。在端子P+、 P-之间连接负载或充电器。将晶体管Ml 、 M2的漏极连接在一起，晶体管Ml的源极经由端子B -与 锂离子电池10的负极连接，晶体管M2的源极与端子P-连接。晶体管M1、 M2各自的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路，其将半导体芯片单独收容在封装内，或者将半导体芯片与在周围连接的电子部件一同安装在基板上、并使用绝缘材料进行注模，其特征在于，　具有：将一端与所述半导体芯片的外部端子连接，在另一端上连接静电保护用二极管，并且被设置在 所述半导体芯片内的电流限制用电阻；以及　在所述电流限制用电阻的两端之间并联连接、设置在所述半导体芯片内的熔丝。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中秀宪，柴田浩平，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]