【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种集成电路(100),包括: 外部电源线(130); 内部电源线(120); 耦合到内部电源线(120)的电路部分(102); 用于将内部电源线(120)耦合到外部电源线(130)的使能晶体管(104);以及 耦合到使能晶体管(104)的栅极的控制装置(150,160),用于将使能晶体管(104)切换到具有第一栅极电压的导电状态,和切换到具有第二栅极电压的非导电状态, 其特征在于,控制装置(150,160)设置为通过偏置该第二栅极电压,减小在非导电状态中穿过该使能晶体管(104)的漏电流。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:HJM维德里克,RIMP梅杰,KBR劳,
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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