双电池平均供电之切换装置制造方法及图纸

技术编号:3346062 阅读:238 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种双电池平均供电电源切换装置,其特征在于包括:    一运算放大器,具有第一输入端、第二输入端、输出端、致能端以及接地端,该运算放大器之致能端耦接一第一电压,该运算放大器之接地端耦接地;    一第一电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第一电阻之第二连接端耦接地;    一第二电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第二电阻之第一连接端耦接该双电池中之一第二电池,该第二电阻之第二连接端耦接该运算放大器之第二输入端;    一第三电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第三电阻之第一连接端耦接该双电池中之一第一电池,该第三电阻之第二连接端耦接该运算放大器之第一输入端;    一第四电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第四电阻之第一连接端耦接一第二电压;    一第五电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第五电阻之第二连接端耦接地;    一第一PMOS晶体管,具有闸极端、汲极端以及源极端,该第一PMOS晶体管之闸极端耦接该运算放大器之输出端,该第一PMOS晶体管之汲极端耦接该第一电阻之第一连接端,该第一PMOS晶体管之源极端耦接该运算放大器之第二输入端;    一第二PMOS晶体管,具有闸极端、汲极端以及源极端,该第二PMOS晶体管之闸极端耦接该第四电阻之第二连接端,该第一PMOS晶体管之汲极端耦接该第五电阻之第一连接端,该第一PMOS晶体管之源极端耦接该运算放大器之第一输入端;    一NMOS晶体管,具有闸极端、汲极端以及源极端,该NMOS晶体管之闸极端耦接该运算放大器之输出端,该NMOS晶体管之汲极端耦接该第四电阻之第二连接端,该NMOS晶体管之源极端耦接地;    一第一集成电路,具有输入端、输出端以及致能端,该第一集成电路之输入端耦接该第一电池,该第一集成电路之致能端耦接该运算放大器之输出端;以及    一第二集成电路,具有输入端、输出端以及致能端,该第二集成电路之输入端耦接该第二电池,该第二集成电路之输出端与该第一集成电路之输出端耦接于一点,该第一集成电路之致能端耦接该NMOS晶体管之汲极端,其中,该点为该双电池之电力输出端。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种切换装置,且特别是有关于一种双电池平均供电之切换装置
技术介绍
当一个系统拥有两颗电池以供应系统电源时,传统作法通常是采用同时供电或是分离式部分供电之方式,分配两颗电池之电力输出。其中,当两颗电池同时供电时,系统通常为利用程序侦测两颗电池之电量,以平均输出两颗电池之电力,但程序在侦测两颗电池之电量以及平均输出两颗电池之电力期间,由于程序中循环之关系,致使程序无法实时侦测两颗电池之电量以及平均输出两颗电池之电力,因此,此种以两颗电池同时供电之方式,并无法有效率地平均分配两颗电池之电力。至于当两颗电池分离供电时,系统为当一颗电池之电力耗尽后,切换使用另一颗电池以供电。显而易见的是,此种以两颗电池分离供电之方式,无法平均分配两颗电池之电力。故在两颗电池供电无法平均分配之情况下,也就是两颗电池之电力无法平均分配下,熟悉此技艺可知,两颗电池之电力将容易消耗殆尽,且两颗电池之电力无法作最有效之运用。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提出一种可依据两电池个别之电压高低,决定两电池何者供电,且在供电之电池电力较未供电之电池电力低一定值之情况下,切换为以未供电之电池供电。本专利技术提出一种双电池平均供电电源切换装置,包括运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、NMOS晶体管、第一集成电路以及第二集成电路。其中,运算放大器具有第一输入端、第二输入端、输出端、致能端以及接地端,而运算放大器之致能端耦接第一电压,运算放大器之接地端耦接地。第一电阻具有第一连接端以及第二连接端,而第一电阻之第二连接端耦接地。第二电阻具有第一连接端以及第二连接端,而第二电阻之第一连接端耦接双电池中之第二电池,第二电阻之第二连接端耦接运算放大器之第二输入端。第三电阻具有第一连接端以及第二连接端,而第三电阻之第一连接端耦接双电池中之第一电池,第三电阻之第二连接端耦接运算放大器之第一输入端。第四电阻具有第一连接端以及第二连接端,而第四电阻之第一连接端耦接第二电压。第五电阻具有第一连接端以及第二连接端,而第五电阻之第二连接端耦接地。第一PMOS晶体管具有闸极端、汲极端以及源极端,而第一PMOS晶体管之闸极端耦接运算放大器之输出端,第一PMOS晶体管之汲极端耦接第一电阻之第一连接端,至于第一PMOS晶体管之源极端则耦接运算放大器之第二输入端。第二PMOS晶体管具有闸极端、汲极端以及源极端,而第二PMOS晶体管之闸极端耦接第四电阻之第二连接端,第一PMOS晶体管之汲极端耦接第五电阻之第一连接端,至于第一PMOS晶体管之源极端则耦接运算放大器之第一输入端。NMOS晶体管具有闸极端、汲极端以及源极端,而NMOS晶体管之闸极端耦接运算放大器之输出端,NMOS晶体管之汲极端耦接第四电阻之第二连接端,至于NMOS晶体管之源极端则耦接地。第一集成电路具有输入端、输出端以及致能端,而第一集成电路之输入端耦接第一电池,第一集成电路之致能端则耦接运算放大器之输出端。第二集成电路具有输入端、输出端以及致能端,而第二集成电路之输入端耦接第二电池,第二集成电路之输出端与第一集成电路之输出端耦接于一点,至于第二集成电路之致能端则耦接NMOS晶体管之汲极端,此外,此点为双电池之电力输出端。在本专利技术较佳实施例中,双电池平均供电电源切换装置更包括第一电容以及第二电容。其中,第一电容具有第一连接端以及第二连接端,而第一电容之第一连接端耦接第一电池,第一电容之第二连接端耦接地。第二电容具有第一连接端以及第二连接端,而第二电容之第一连接端耦接第一电池,第二电容之第二连接端耦接地。综上所述,本专利技术提出一种使用运算放大器、MOS晶体管以及集成电路之双电池平均供电的切换装置。藉由双电池于运算放大器之个别输入端具有不同之电位,控制作为开关之MOS晶体管以及集成电路,以决定由双电池中之何者作为电源输出。因此,本专利技术可依据双电池个别之电压高低,决定双电池何者供电,且在供电之电池电力较未供电之电池电力低一定值之情况下,切换为以未供电之电池供电。附图说明为让本专利技术之上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下图1为本专利技术较佳实施例中之双电池平均供电之切换装置之电路方块图。具体实施例方式请参考图1,其为专利技术较佳实施例中之双电池平均供电之切换装置之电路方块图。在此实施例中,双电池平均供电之切换装置100由运算放大器101、电阻R1-R5、集成电路109、111以及电容C1、C2所组成。其中,集成电路109、111均为具有以背对背方式耦接之两PMOS晶体管之集成电路。当双电池平均供电之切换装置100中之电阻R3、集成电路109以及电阻R2、集成电路111分别耦接上第一电池与第二电池时,双电池平均供电之切换装置100之运作如下假设开始时,第一电池之电压大于第二电池之电压且均为正,即开始时之运算放大器101之+输入端之电压可视为第二电池经由电阻R2所提供之电压,其-输入端之电压可视为第一电池经由电阻R3所提供之电压。因此运算放大器101之+输入端之电压小于其-输入端之电压。根据运算放大器101之输出为+输入端电压减去-输入端电压之倍数输出,故此时运算放大器101之输出为低准位(low)电压,即A点之电压为low。由于此时A点之电压为low,因此,PMOS晶体管103之闸极端电压为low,而其源极端为接受第二电池经由电阻R2所提供之正电压,其汲极端为经由电阻R1接地,故此时PMOS晶体管103之状态为打开(ON)。藉由由第二电池经由电阻R2、B点、PMOS晶体管103、电阻R3至地之回路看来,B点之电压为第二电池之电压在电阻R1上之分压,即B点之电压被下拉为第二电池所提供之正电压×R1/(R1+R2)。在A点之电压为low之同时,集成电路109之G1、G2端(即背对背PMOS晶体管个别之闸极端)为low,其D2、D2端(即背对背PMOS晶体管其一之汲极端组)接收第一电池所提供之正电压,其S1、S2端(即背对背PMOS晶体管个别之源极端)相耦接,故熟悉此技艺者可知,集成电路109之D1、D1端(即背对背PMOS晶体管其二之汲极端组)输出第一电池所提供之正电压。亦在A点之电压为low之同时,NMOS晶体管107之闸极端电压亦为low,其源极端接地,其汲极端接受一正电压VBATSW经由电阻R4所提供之高准位(high)电压,故熟悉此技艺者可知,此时之NMOS晶体管107之状态为关闭(OFF)。亦在A点之电压为low之同时,由于NMOS晶体管107之状态为OFF,因此PMOS晶体管105之闸极接受一电压源VBATSW经由电阻R4所提供之high电压,其汲极端经由电阻R5接地,其源极端接受第一电池经由电阻R3所提供之正电压,故PMOS晶体管105OFF。据此,C点之电压(运算放大器101之-输入端)为接收第一电池经由电阻R3所提供之正电压。也就是运算放大器101之-输入端之电压仍为接收第一电池经由电阻R3所提供之正电压。由上述可知,在A点之电压为low之同时,NMOS晶体管107与PMOS晶体管105之状态均为OFF,因此,D点之电压相当于电压源VBATSW本身所提供之high电压。故集成电路11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双电池平均供电电源切换装置,其特征在于包括一运算放大器,具有第一输入端、第二输入端、输出端、致能端以及接地端,该运算放大器之致能端耦接一第一电压,该运算放大器之接地端耦接地;一第一电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第一电阻之第二连接端耦接地;一第二电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第二电阻之第一连接端耦接该双电池中之一第二电池,该第二电阻之第二连接端耦接该运算放大器之第二输入端;一第三电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第三电阻之第一连接端耦接该双电池中之一第一电池,该第三电阻之第二连接端耦接该运算放大器之第一输入端;一第四电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第四电阻之第一连接端耦接一第二电压;一第五电阻,具有第一连接端以及第二连接端,该第五电阻之第二连接端耦接地;一第一PMOS晶体管,具有闸极端、汲极端以及源极端,该第一PMOS晶体管之闸极端耦接该运算放大器之输出端,该第一PMOS晶体管之汲极端耦接该第一电阻之第一连接端,该第一PMOS晶体管之源极端耦接该运算放大器之第二输入端;一第二PMOS晶体管,具有闸极端、汲极端以及源极端,该第二PMOS晶体管之闸极端耦接该第四电阻之第二连接端,该第一PMOS晶体管之汲极端耦接该第五电阻之第一连接端,该第一PMOS晶体管之源极端耦接该运算放大器之第一输入端;一NMOS晶体管,具有闸极端、汲极端以及源极端,该NMOS晶体管之闸极端耦接该运算放大器之输出端,该NMOS晶体管之汲极端耦接该第四电阻之第二连接端,该NMOS晶体管之源极端耦接地;一第一集成电路,具有输入端、输出端以及致能端,该第一集成电路之输入端耦接该第一电池,该第一集成电路之致能端耦接该运算放大器之输出端;以及一第二集成电路,具有输入端、输出端以及致能端,该第二集成电路之输入端耦接该第二电池,该第二集成电路之输出端与该第一集成电路之输出端耦接于一点,该第一集成电路之致能端耦接该NM...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴佳泽
申请(专利权)人:佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司神达电脑股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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