一种供电电路制造技术

本申请公开了一种供电电路，包括：主电路模块，用于产生输出电压，并根据采样信号和第一参考电压调节所述输出电压，所述采样信号用于表征所述输出电压；瞬态增强电路模块，和所述主电路模块连接，用于根据所述采样信号和第二参考电压调节所述主电路模块的输出阻抗。该供电电路增加了由比较器、MOS管、晶体管组成的瞬态增强电路模块，降低了主电路模块的负载阻抗，从而加速负载由轻载到重载变化时系统的瞬态响应速度。利用负载瞬态响应响应环路，提高了供电电路的瞬态响应速度。

Power supply circuit

The invention discloses a power supply circuit comprises a main circuit module, for generating an output voltage, and according to the sampling signal and the first reference voltage to adjust the output voltage, the sampling signal is used to characterize the output voltage; transient enhanced module circuit, connection and the main circuit module, according to the sampling second reference voltage signal and adjusts an output impedance of the main circuit module. The increase of the transient power supply circuit is composed of a comparator, MOS tube, transistor enhancement circuit module, reduces the load impedance of the main circuit module, which accelerated by light load to heavy load transient response speed of the system change. The transient response speed of the power supply circuit is improved by using the load transient response loop.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路技术，更具体地涉及一种供电电路。
技术介绍
几乎所有的电子电路都需要一个稳定的电源，它维持在特定容差范围内，以确保正确运行负载瞬态变化时电路能够迅速响应，为芯片提供稳定的电压。现有的供电电路通过电阻分压器自动检测输出电压，误差放大器不断调整电流源从而维持输出电压稳定在额定电压上。但是在现有的供电电路中，由于MOS管的栅源、栅漏和漏源之间存有寄生电容效应，其充放电的时间延迟了M0S管的开通和截止时间，从而影响了供电电路在负载由清载向重载变化时系统的瞬态响应速度。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种提高系统的瞬态响应速度的供电电路，采用瞬态增强电路模块，提高供电电路在负载在变化时系统的瞬态响应速度。根据本技术实施例，提供一种供电电路，包括：主电路模块，用于产生输出电压，并根据采样信号和第一参考电压调节所述输出电压，所述采样信号用于表征所述输出电压；瞬态增强电路模块，和所述主电路模块连接，用于根据所述采样信号和第二参考电压调节所述主电路模块的输出阻抗。优选地，所述主电路模块包括第一MOS管、至少两个采样电阻和一个误差放大器，所述第一MOS管和所述采样电路串联连接在所述主电路模块的输入端和接地端之间，所述第一MOS管的栅极和误差放大器的输出端连接，所述误差放大器的输入端分别接收所述采样信号和所述第一参考电压，所述误差放大器的输出端输出用于控制所述第一MOS管开关的控制信号。优选地，所述瞬态增强电路模块包括一个比较器和第二MOS管，所述第二MOS管连接在所述第一MOS管的栅极和接地端，所述比较器的输出端和所述第二MOS管的栅极连接，所述比较器的两个输入端分别接收所述采样信号和第二参考电压，所述比较器的输出端输出用于控制所述第二MOS管开关的控制信号。优选地，所述瞬态增强电路模块还包括第一晶体管，所述第一晶体管和所述MOS管构成并联电路，连接在所述第一MOS管的栅极和所述接地端。优选地，所述瞬态增强电路模块还包括恒流源，所述恒流源和所述第一晶体管构成串联电路，和所述MOS管构成并联连接在所述第一MOS管的栅极和所述接地端。优选地，所述第一MOS管和所述第二MOS管是NMOS管，所述第一晶体管为NPN管。该供电电路增加了由比较器、MOS管、晶体管组成的瞬态增强电路模块，降低了主电路模块的负载阻抗，从而加速负载由轻载到重载变化时系统的瞬态响应速度。利用负载瞬态响应响应环路，提高了供电电路的瞬态响应速度。附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1示出根据本技术实施例的供电电路的示意性电路图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本技术的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1示出根据本技术实施例的供电电路的示意性电路图。该供电电路包括主电路模块101和瞬态增强电路模块102。主电路模块101向负载提供输出电压Vout，在提供输出电压的过程中，获取输出电压的采样信号，根据采样信号VFB和参考电压Vref_0调节输出电压Vout，使输出电压Vout向负载提供稳定的供电电源。瞬态增强电路模块102和主电路模块101连接，根据采样信号VFB和参考电压Vref_1调节主电路模块101的输出阻抗。参考图1，主电路模块101包括MOS管MP、采样电阻RF1、RF2和误差放大器ErrorAmp。MOS管MP例如是NMOS管。MOS管MP和采样电阻RF1、RF2串联连接在主电路模块101的电源输入端VIN和接地端GND，MOS管MP的栅极和误差放大器ErrorAmp的输出端连接，误差放大器ErrorAmp的反相输入端Vref_0为带隙基准电压源的输出电压，同相输入端VFB为利用电阻串RF1、RF2对输出电压Vout进行的采样信号。ErrorAmp将采样信号VFB和参考电压Vref_0比较放大后，输出用于控制MOS管MP的控制信号。参考电压Vref_0例如设定为负载的额定电压。因此，在工作时，如果主电路模块101连接的负载所需的电流发生变化，则输出电压的采样信号VFB也会发生变化，从而影响误差放大器ErrorAmp输出的控制信号(图未输出)，该控制信号用于控制MOS管MP的导通，从而产生满足负载要求的电流。瞬态增强电路模块102包括比较器COM和MOS管MP1。MOS管MP例如是PMOS管。MOS管MP连接在MOS管MP的栅极和接地端GND，比较器COM的输出端和MOS管MP的栅极连接，比较器COM的反相端Vref_1为带隙基准电压源的输出电压(Vref_1与Vref_0不同)，其同相端接VFB。只要VFB电压低于Vref_1电压，比较器COM即输出高电平。该电压使MP1导通并产生电流，使MOS管MP的栅极寄生电容的电荷迅速泄放，从而加速降低MOS管MP的栅极电压。进一步地，如图1所示，瞬态增强电路模块102增加晶体管Q1，将MOS管MP1和晶体管Q1构成的并联电路连接在比较器COM和MOS管MP之间，利用MP1、Q1构成的并联反馈实现阻抗衰减，降低了输出电阻，使MOS管MP1的栅极极点远远超出了电路的单位增益频率，改善了电路的稳定性。进一步地，如图1所示，瞬态增强电路模块还包括恒流源Is，恒流源Is和晶体管Q1构成串联电路，和MOS管MP1并联连接在MOS管MP的栅极和接地端GND。本技术提供的供电电路增加了由比较器、MOS管、晶体管组成的瞬态增强电路模块，降低了主电路模块的负载阻抗，从而加速负载由轻载到重载变化时系统的瞬态响应速度。利用负载瞬态响应响应环路，提高了供电电路的瞬态响应速度。依照本技术的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地利用本技术以及在本技术基础上的修改使用。本技术的保护范围应当以本技术权利要求所界定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种供电电路，其特征在于，包括：主电路模块，用于产生输出电压，并根据采样信号和第一参考电压调节所述输出电压；瞬态增强电路模块，和所述主电路模块连接，用于根据所述采样信号和第二参考电压降低栅极寄生电容，其中，所述采样信号表征所述输出电压。

【技术特征摘要】
1.一种供电电路，其特征在于，包括：主电路模块，用于产生输出电压，并根据采样信号和第一参考电压调节所述输出电压；瞬态增强电路模块，和所述主电路模块连接，用于根据所述采样信号和第二参考电压降低栅极寄生电容，其中，所述采样信号表征所述输出电压。2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述主电路模块包括第一MOS管、至少两个采样电阻和一个误差放大器，所述第一MOS管和所述采样电路串联连接在所述主电路模块的输入端和接地端之间，所述第一MOS管的栅极和误差放大器的输出端连接，所述误差放大器的输入端分别接收所述采样信号和所述第一参考电压，所述误差放大器的输出端输出用于控制所述第一MOS管开关的控制信号。3.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述瞬态增强电路模块包括一个比较器和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李迪，张亦锋，马亮，张登军，刘大海，
申请(专利权)人：珠海泓芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44