半导体器件制造技术

技术编号:3402973 阅读:101 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
把耦合电容器21和二极管23并联在差分放大电路10的输出节点N1和另一个差分放大电路50的输入节点N3之间。在测试模式下,当把测试信号提供给测试焊接区43时,开关电路40接通,以使偏置电阻器35短路,因此降低了在输入节点N3处的偏置电位。这使二极管23接通,以用差分放大电路10放大测试低频输入信号IN。在二极管23的作用下,差分放大电路10的输出绕到差分放大电路50。因此,大体上可以通过检查从差分放大电路50的输出焊接区56得到的输出信号OUT检查两个差分放大电路10和50。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于包括: 具有输入端和输出侧的第一和第二放大电路; 连接在所述第一放大电路的所述输出侧和所述第二放大电路的所述输入端之间的直流断路器,用于阻断所述第一放大电路输出信号中的直流分量和传输其交流分量;及 和所述直流断路器并联的开关,它响应于所给定的控制信号使直流断路器短路。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:水永直
申请(专利权)人:冲电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利