半导体装置、半导体装置制造方法和LED显示器制造方法及图纸

半导体装置、半导体装置制造方法和LED显示器，提高位置精度。LED显示器装置(1)设置有：基底层(26R)，其具有绝缘性；多个薄膜LED(30R)，它们形成于基底层上表面(26RS1)；阴极盘(41cR)和阳极盘(44aG1、44aR、44aB1)，它们与薄膜LED(30R)连接；以及通气槽(50R)，其设置于与基底层上表面(26RS1)相反一侧的面即基底层下表面(26RS2)，通气槽(50R)形成于基底层(26R)的在从与上表面垂直的发光方向(De)观察时不与薄膜LED(30R)重叠的区域。时不与薄膜LED(30R)重叠的区域。时不与薄膜LED(30R)重叠的区域。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、半导体装置制造方法和LED显示器


[0001]本专利技术涉及半导体装置、半导体装置制造方法和LED显示器，例如优选应用于将半导体元件安装于电路基板而成的发光装置。

技术介绍

[0002]近年来，已提出一种半导体装置，该半导体装置是通过选择性地驱动呈矩阵状安装于电路基板的多个半导体元件使其发光而显示图像的发光装置(例如参照专利文献1)。在这种半导体装置中，具有作为发光元件的半导体元件的膜状部件即接合物在与发光元件的发光面垂直的方向上层叠于作为被接合物的基板等。
[0003]专利文献1：日本特开2022
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23263号公报
[0004]在这种半导体装置中，在制作接合物后，在与被接合物接合时产生气泡，可能无法位置精度良好地进行转印。

技术实现思路

[0005]本专利技术正是考虑以上方面而完成的，提出能够提高位置精度的半导体装置和半导体装置制造方法。
[0006]为了解决该课题，在本专利技术的半导体装置中设置：平坦化层，其具有绝缘性；多个半导体元件，它们形成于平坦化层的第1面上；连接部，其与半导体元件连接；以及槽部，其设置于平坦化层的与第1面相反一侧的面即第2面，槽部形成于在从与第1面垂直的第1方向观察时不与半导体元件重叠的区域。
[0007]此外，在本专利技术的半导体装置制造方法中包含以下步骤：牺牲层形成步骤，在形成基板上形成牺牲层，该牺牲层在与跟该形成基板相接的面相反一侧的面具有凸部；平坦化层形成步骤，在牺牲层上形成具有绝缘性的平坦化层；半导体元件形成步骤，在平坦化层的第1面上形成多个半导体元件；连接部形成步骤，以与半导体元件连接的方式在平坦化层形成连接部；以及槽部形成步骤，通过去除牺牲层，在平坦化层的与第1面相反一侧的第2面形成槽部，凸部配置于在从与第1面垂直的方向观察时不与半导体元件重叠的区域。
[0008]本专利技术防止在与被接合物接合时在半导体装置与被接合物之间局部地积存空气而使其分散，由此，能够在维持光学特性的同时，提高半导体装置相对于被接合物的位置精度。
[0009]根据本专利技术，能够实现能够提高位置精度的半导体装置和半导体装置制造方法。
附图说明
[0010]图1是示出LED显示器装置的结构的立体图。
[0011]图2示出第1实施方式的LED显示器显示部的结构，是图1中的数个像素的区域即A部的放大平面图。
[0012]图3示出第1实施方式的电路基板的结构，是从图2去除薄膜层组后的状态的放大
平面图。
[0013]图4示出第1实施方式的包含相邻的像素部的一部分的像素部的结构(1)，是图2中的A
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A向视剖视图。
[0014]图5示出第1实施方式的包含相邻的像素部的一部分的像素部的结构(2)，是图2中的B
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B向视剖视图。
[0015]图6是示出第1实施方式的第1薄膜层的结构的平面图。
[0016]图7是示出第1实施方式的第2薄膜层的结构的平面图。
[0017]图8是示出第1实施方式的第3薄膜层的结构的平面图。
[0018]图9示出第1实施方式的第1薄膜层的制造步骤，是图6中的C
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C向视剖视图。
[0019]图10示出第1实施方式的LED显示器显示部的制造步骤，是图2中的A
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A向视剖视图。
[0020]图11示出第2实施方式的LED显示器显示部的结构，是图1中的数个像素的区域即A部的放大平面图。
[0021]图12示出第2实施方式的包含相邻的像素部的一部分的像素部的结构(1)，是图11中的A
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A向视剖视图。
[0022]图13示出第2实施方式的包含相邻的像素部的一部分的像素部的结构(2)，是图11中的B
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B向视剖视图。
[0023]图14是示出第2实施方式的第1薄膜层的结构的平面图。
[0024]图15是示出第2实施方式的第2薄膜层的结构的平面图。
[0025]图16是示出第2实施方式的第3薄膜层的结构的平面图。
[0026]图17是示出第3实施方式的薄膜层的结构的平面图。
[0027]图18示出第3实施方式的像素部的结构和与该像素部相邻的像素部的一部分的结构，是图17中的D
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D向视剖视图。
[0028]图19是示出第4实施方式的薄膜层的结构的平面图。
[0029]图20示出第4实施方式的像素部的结构和与该像素部相邻的像素部的一部分的结构，是图19中的E
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E向视剖视图。
[0030]图21是示出其他实施方式的通气槽的结构(1)的平面图。
[0031]图22是示出其他实施方式的通气槽的结构(2)的平面图。
[0032]图23是示出其他实施方式的通气槽的结构(3)的平面图。
[0033]图24是示出其他实施方式的通气槽的结构(4)的平面图。
[0034]图25是示出其他实施方式的通气槽的结构(5)的平面图。
[0035]图26是示出其他实施方式的通气槽的结构(6)的平面图。
[0036]标号说明
[0037]1、101、201、301：LED显示器装置；2、102、202、302、1002、1102、1202、1302：LED显示器显示部；3：散热部件；4：连接缆线；5：连接端子部；6：驱动用驱动器；8、108、208、308、1408：像素部；10、210：电路基板；10M：基材部；10S：基板表面；11：绝缘层；12R、12G、12G、12C：电路连接盘；12T：电路连接盘组；14R、14G、14B、14C：有源元件；16：布线层；18、118：薄膜层组；20R、120R、1420R：第1薄膜层；20G、120G：第2薄膜层；20B、120B：第3薄膜层；220R：薄膜层；20RS1：第1薄膜层上表面；20RS2：第1薄膜层下表面；20GS1：第2薄膜层上表面；20GS2：
第2薄膜层下表面；20BS2：第3薄膜层下表面；22R、22G、22B、22C：垂直方向布线；24：发光部；26R、26G、26B：基底层；26RS1、26GS1、26BS1：基底层上表面；26RS2、26GS2、26BS2：基底层下表面；28R、28G、28B：覆盖层；30R、30G、30B：薄膜LED；32R、32G、32B：阳极电极；34R、34G、34B：阴极电极；36aR、36aG、36aB、36cR、36cG、36cB：引出布线；38aR、38aG、38aB：层间绝缘膜；40cR、40cG：阴极柱；41cR、41cG、41cB：阴极盘；42aG、42aB1、42aB2：阳极柱；44aG1、44aB1、44aR、44aB2、44aG2、44aB3：阳极盘；45R、45G1、45G2、45B1、45B2、45B3、45B4：虚设柱；47G、47B1、47B2：虚设盘；50R、50G、50B、150本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置具有：平坦化层，其具有绝缘性；多个半导体元件，它们形成于所述平坦化层的第1面上；以及槽部，其设置于所述平坦化层的与所述第1面相反一侧的面即第2面，所述槽部形成于在从与所述第1面垂直的第1方向观察时不与所述半导体元件重叠的区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置具有连接部，该连接部与所述半导体元件连接，所述槽部形成于在从所述第1方向观察时不与所述半导体元件和所述连接部重叠的区域。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述连接部在所述平坦化层的所述第2面露出，使所述半导体元件与位于所述平坦化层的所述第2面侧的其他的连接部导通。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述槽部在所述平坦化层的沿着所述第1面的面方向的端面处与所述平坦化层的外部连通。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述槽部以在从所述第1方向观察时至少在比所述半导体元件靠外侧处包围所述半导体元件的方式形成。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述半导体装置具有连接部，该连接部与所述半导体元件连接，所述槽部以在从所述第1方向观察时在比所述连接部靠外侧处包围所述半导体元件和所述连接部的方式形成。7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，在从所述第1方向观察时，所述槽部为格子状。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述槽部在至少一部分将多个所述半导体元件的排列方向包含在内的方向上延伸。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述槽部在所述第1方向上的深度为所述平坦化层在所述第1方向上的厚度的一半以下。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述平坦化层的所述第2面处，所述槽部从所述第2面朝向所述第1面凹陷。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置具有：连接部，其与所述半导体元件连接；第1层，其包含作为所述平坦化层的第1平坦化层、作为所述半导体元件的第1半导体元件、作为所述连接部的第1连接部和作为所述槽部的第1槽部；控制基板，所述第1层以使所述第1平坦化层的所述第2面抵接于该控制基板的方式层叠于该控制基...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭野皓宏，小酒达，古田裕典，松尾元一郎，十文字伸哉，川田宽人，篠原悠贵，
申请(专利权)人：冲电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：