【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板。
技术介绍
1、以往，公知有通过研磨使半导体层的表面平坦化的技术(例如参照专利文献1)。
2、专利文献1：日本特开2006-86388号公报(参照摘要)
3、但是，在研磨步骤中，很难准确地控制半导体层的精加工厚度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，能够在研磨步骤中准确地控制半导体层的精加工厚度。
2、本专利技术的半导体元件的制造方法具有以下步骤：在蓝宝石基板上形成具有蓝宝石基板侧的第1面及其相反侧的第2面的多个半导体层的步骤；接合步骤，将多个半导体层的第2面隔着粘接部件与保持部件接合；剥离步骤，对多个半导体层的第1面照射激光，将多个半导体层从蓝宝石基板剥离；以及研磨步骤，对多个半导体层的第1面进行研磨。多个半导体层中的至少1个半导体层具有从第2面朝向第1面延伸的研磨用标记部。在研磨步骤中进行研磨，直到研磨用标记部在研磨面露出为止。
3、根据本专利技术，能够一边确认研磨用标记部是否在研磨面露出一边进行研磨，因此，能够准确地控制半导体层的精加工厚度。
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，该半导体元件的制造方法具有以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
7.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
8.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
9.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
10.一种半导体层支承结构体，该半导体层支承结构体具有：
11.根据权利要求10所述的半导体层支承结构体，其中，
12.根据权利要求10或11所述的半导体层支承结构体，其中，
13.一种半导体基板，该半导体基板具有：
14.根据权利要求13所述的半导体基板，其中，
15.根据权利要求13所述的半导体基板，其中
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，该半导体元件的制造方法具有以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
7.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：十文字伸哉，小酒达，铃木贵人，谷川兼一，中井佑亮，川田宽人，松尾元一郎，北岛由隆，
申请(专利权)人：冲电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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