【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及晶圆级封装结构及制作，尤其涉及一种晶圆级封装结构及其制作方法、电子设备。
技术介绍
1、声表面波(surface acoustic wave,saw)滤波器是一种无源的滤波器，广泛用于无线通讯领域。saw滤波器包括压电材料基材层和设于基材层上的多对叉指换能器(interdigital transducer，idt)。在一对叉指换能器接入高频电信号，基材层的表面就会产生机械振动并激发出与外加电信号频率相同的表面声波，表面声波会沿基材层表面传播。另一对叉指换能器可检测出声表面波并将其转换成电信号。saw滤波器能过滤不必要的信号及杂讯，提升收讯品质。
2、saw滤波器或其他类似器件可采用晶圆级封装(wafer level package,wlp)，通过贴膜设备在基材层表面贴上墙膜和顶膜，形成一个用于放置功能器件的空腔，采用电镀等工艺将芯片的焊盘引出器件表面，完成器件的封装。在晶圆上有几百至数万颗小芯片，小芯片之间有一定宽度的切割道，采用切割刀在切割道切割，分离出单颗小芯片。晶圆切割正应力容易造成墙膜和基材层之间的分...
【技术保护点】
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的基材层、墙膜和顶膜；
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述避让槽的侧面和所述切割侧面的间距范围是2μm至10μm。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述避让槽沿所述墙膜的厚度方向贯穿所述墙膜设置；
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述顶膜具有至少部分填充于所述避让槽的第一填充部，所述第一填充部包覆于所述避让槽的侧面。
5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，在所述空腔和所...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的基材层、墙膜和顶膜；
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述避让槽的侧面和所述切割侧面的间距范围是2μm至10μm。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述避让槽沿所述墙膜的厚度方向贯穿所述墙膜设置；
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述顶膜具有至少部分填充于所述避让槽的第一填充部，所述第一填充部包覆于所述避让槽的侧面。
5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，在所述空腔和所述避让槽之间的所述墙膜的顶面具有填充槽，所述填充槽的深度小于所述墙膜的厚度，所述顶膜具有至少部分填充于所述填充槽的第二填充部。
6.根据权利要求5所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述墙膜在和所述切割侧面同向的一侧与所述空腔的内壁的最小间距范围是20μm至60μm。
7.根据权利要求5或6所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述填充槽为v型槽、正梯形槽、倒梯形槽或矩形槽。
8.根据权利要求5至7任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述空腔、所述避让槽和所述填充槽通过曝光显影或激光打孔而成。
9.一种如权利要求1至8任一项所述晶圆级封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的晶圆级封装结构的制作方法，其特征在于，所述墙膜覆盖于所述电镀线；
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