半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其形成方法，其半导体器件包括：衬底；位于衬底的若干沿第一方向延伸的鳍部，鳍部包括沿着第一方向排布的若干相互分立的源漏区以及位于相邻源漏区之间的沟道区，第一方向平行于衬底表面，鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区，位于源漏区内的第一区和第二区相互连接；位于沟道区内的埋氧层，埋氧层位于第一区与第二区之间；位于衬底上的隔离层，隔离层的顶部表面低于埋氧层的底部表面；将埋氧层的形成融会到鳍部的形成过程中，将绝缘体上硅的优点与鳍式场效应晶体管的优点相结合起来，工艺不需要进行大量改动，也不需要增加特殊的光罩，工艺简单具有较广大的使用范围，保证最终形成的半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、目前，鳍式场效应晶体管(finfet)器件因其自对准结构可由常规的平面cmos工艺来实现，从而成为最有希望的多栅器件。比较主流的鳍式场效应晶体管工艺包括体硅(bulk)-鳍式场效应晶体管和绝缘体上硅(soi)-鳍式场效应晶体管两大类。由于存在埋氧层，在绝缘体上硅衬底上实现鳍式场效应晶体管制作较容易，且源漏之间、器件之间形成自然的电学隔离，可以有效抑制漏电和避免闩锁效应。器件的延迟、动态功耗更低。

2、绝缘体上硅(soi)-鳍式场效应晶体管结合了绝缘体上硅中使用的埋氧层隔绝衬底，可以有效地降低寄生电容和漏电流，而鳍式场效应晶体管的栅极覆盖沟道实现更快的开关时间和更高的电流密度，所以绝缘体上硅(soi)-鳍式场效应晶体管在结构上可达到理论上最好的栅控能力，大大改善短沟道效应，提高器件的驱动电流。

3、然而，目前形成的绝缘体上硅(soi)-鳍式场效应晶体管的性能和工艺有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术解决的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述埋氧层的厚度为5nm至20nm。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述埋氧层的材料为氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底包括第一器件区和第二器件区；所述鳍部分别位于所述第一器件区上和所述第二器件上。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一器件区上的部分所述第二区的材料为硅锗；所述第二器件区上的所述第二区的材料为硅。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：横跨所述鳍部的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述埋氧层的厚度为5nm至20nm。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述埋氧层的材料为氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底包括第一器件区和第二器件区；所述鳍部分别位于所述第一器件区上和所述第二器件上。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一器件区上的部分所述第二区的材料为硅锗；所述第二器件区上的所述第二区的材料为硅。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于所述隔离层表面以及所述沟道区的侧壁和顶部表面；位于所述栅极结构两侧的所述鳍部内的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区位于所述源漏区的所述第二区内。

7.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述埋氧层的材料为氧化硅。

9.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述埋氧层之后，还包括在所述衬底上形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于所述隔离层表面以及所述沟道区的侧壁和顶部表面。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构之后，还包括在所述栅极结构两侧的所述鳍部内形成源漏掺杂区，所述源漏掺杂区位于所述源漏区的所述第二区内。

11.如权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈天锐，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：