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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其半导体器件包括：衬底；位于衬底的若干沿第一方向延伸的鳍部，鳍部包括沿着第一方向排布的若干相互分立的源漏区以及位于相邻源漏区之间的沟道区，第一方向平行于衬底表面，鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区，...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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