【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板。
技术介绍
1、以往，公知有通过研磨使半导体层的表面平坦化的技术(例如参照专利文献1)。
2、专利文献1：日本特开2006-86388号公报(参照摘要)
3、近年来，伴随着半导体层的表面的平坦性的提高，存在在研磨时施加给半导体层的负荷(应力等)增加的倾向。因此，要求减小在研磨时施加给半导体层的负荷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，减小在研磨时施加给半导体层的负荷。
2、本专利技术的半导体元件的制造方法具有以下步骤：形成步骤，在蓝宝石基板上形成多个岛，该多个岛分别包含含有氮化物半导体的半导体层和形成于该半导体层上的支承体；接合步骤，将所述支承体隔着粘接部件与保持基板接合；剥离步骤，对所述半导体层照射激光，将所述半导体层从所述蓝宝石基板剥离；以及研磨步骤，对所述半导体层的从所述蓝宝石基板剥离的表面进行研磨。
3、根据本专利技术，在半导体层支承于支承体的状态下对半导体层的表面进行研磨，因此，能够减小在研磨时施加给半导体层的负荷。
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，该半导体元件的制造方法具有以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
7.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
8.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
9.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
10.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
11.一种半导体层支承结构体，该半导体层支承结构体具有：
12.根据权利要求11所述的半导体层支承结构体，其中，
13.根据权利要求11或12所述的半导体层支承结构体，其中，
14.根据权利要求11或12所述的半导体层支承结构体，其中，
15
16.根据权利要求15所述的半导体基板，其中，
17.根据权利要求15或16所述的半导体基板，其中，
18.根据权利要求15或16所述的半导体基板，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，该半导体元件的制造方法具有以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
7.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
8.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
9.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：十文字伸哉，小酒达，铃木贵人，谷川兼一，中井佑亮，川田宽人，松尾元一郎，北岛由隆，
申请(专利权)人：冲电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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