一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法技术

本发明专利技术公开了一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法，它包括如下步骤：１）在硅单晶片整个面上生长氧化硅层；２）去除一表面上的氧化硅层；３）在去除氧化硅层的表面上预先扩散入Ｎ＋或ｐ＋半导体杂质；４）在１２５０～１３００℃温度下，进行５０～２５０小时单面硅内Ｎ＋或ｐ＋杂质的推结；５）对另一单面的Ｎ－或ｐ－面进行化学机械抛光；６）在Ｎ－／Ｎ＋或Ｐ－／Ｐ＋硅基片上制造晶体管。本发明专利技术革除了常规半导体工业所采用的必须研磨去一个单面上占到２／５硅片总厚度的Ｎ－或ｐ－杂质深扩散层的三重扩散工艺做法，节省１／４硅片用料。充分体现节材和产品高性价比的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体掺杂扩散，尤其涉及一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造 晶体管的方法。
技术介绍
自二十世纪五十年代硅晶体管问世并成为最重要的电子产品以来，人们不断 推出新型硅功率器件和半导体制造新工艺技术。根据半导体原理，硅晶体管制造需要进行前后三次m族(硼、铝、镓)、v族(磷)元素半导体杂质的掺杂扩散，形成晶体管的集电区、基区和发射区。人们通常采用N71^、 P7P+、 N7P+、 P7N" 型深结结构的硅片作为衬底基础，其中N'或P—层作为功率晶体管承受高反向电 压的集电区部分，而N"或P+层作为支撑衬底同时起降低器件正向压降的作用。其中利用在高电阻率的N-(或r)型硅单晶片上进行isr (或p-)型半导体掺杂后，获得N71^、 P7P+、 N7P+、 P7N"型硅深结结构的方法即称为硅片三重扩散工 艺。传统的硅三重扩散工艺是在高温下进行半导体杂质长时间的推结扩散后， 在N-或P—型硅片中掺入高浓度的N"型或P+型半导体杂质，从而获得NVN7NT、 P+/P7P+、 P+/N7P+、 NVP7NT型杂质深扩散结结构。然后研磨去除其中一个面上 的N"或P+层，以得到为制造功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：　１）在硅单晶片整个面上生长氧化硅层；　２）去除一表面上的氧化硅层；　３）在去除氧化硅层的表面上预扩散Ｎ＋或ｐ＋半导体杂质；　４）在１２５０～１３００℃温度下，进行５０～２５０小时单面硅内Ｎ＋或ｐ＋杂质的推结；　５）对另一单面的Ｎ－或ｐ－面进行化学机械抛光；　６）在Ｎ－／Ｎ＋或Ｐ－／Ｐ＋硅基片上制造晶体管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福元，
申请(专利权)人：杭州杭鑫电子工业有限公司，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]