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本发明公开了一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法，它包括如下步骤：１）在硅单晶片整个面上生长氧化硅层；２）去除一表面上的氧化硅层；３）在去除氧化硅层的表面上预先扩散入Ｎ＋或ｐ＋半导体杂质；４）在１２５０～１３００℃温度下，进行５０～...
该专利属于杭州杭鑫电子工业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州杭鑫电子工业有限公司授权不得商用。

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