一种制作异质结双极型晶体管的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）的方法，包括：在清洗后的制作了部分或全部三台面ＨＢＴ的圆片Ａ的一面上涂覆粘附剂，利用粘附工艺将圆片Ａ粘附到圆片Ｂ上；去掉圆片Ａ的衬底，留下ＨＢＴ和需要的半导体材料层；制作ＨＢＴ集电极和金属互联。利用本发明专利技术，减小了ＨＢＴ集电极的寄生电容，提高了器件性能，同时避免了类似工艺过程中对器件的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及集成电路制造
，尤其涉及一种制作异质结双极型晶体管(Heterojuction Bipolar Transistor, HBT)的 方法，以减小HBT集电极的寄生电容，提高器件性能，同时避免类似 工艺过程中对器件的损伤。
技术介绍
现代化合物半导体器件制作过程中，为了提高器件的高频或大功 率特性，各种技术得以运用。对于化合物半导体器件HBT，由于是垂 直的台面结构，基极和集电极的宽度和长度相互依赖，导致集电极电 容和基极电阻的减小互相约束。对器件基极和集电极尺寸的改变不能 使二者同时减小，限制了HBT的高频特性，最大功率增益截止频率难 以提咼。本专利技术公布的衬底倒扣技术，使基极尺寸和集电极尺寸互相独立， 从而在不影响基极电阻的情况下，降低集电极电容，因此倒扣技术可 以很大程度的提高HBT器件高频特性。目前减小HBT集电极电容的方法有多种，主要有HBT集电极 过腐蚀，增加集电极厚度，离子注入的方法，其制作方法和特点分别为方法l:集电极过腐蚀。该方法是在腐蚀集电极的过程中，通过增 加湿法腐蚀时间增加基极下集电极侧向腐蚀的距离，减小基极与集电极重合的面积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作异质结双极型晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：　在清洗后的制作了部分或全部三台面异质结双极型晶体管ＨＢＴ的圆片Ａ的一面上涂覆粘附剂，利用粘附工艺将圆片Ａ粘附到圆片Ｂ上；　去掉圆片Ａ的衬底，留下ＨＢＴ和需要的半导体材料层；　制作ＨＢＴ集电极和金属互联。

【技术特征摘要】
1、一种制作异质结双极型晶体管的方法，其特征在于，该方法包括在清洗后的制作了部分或全部三台面异质结双极型晶体管HBT的圆片A的一面上涂覆粘附剂，利用粘附工艺将圆片A粘附到圆片B上；去掉圆片A的衬底，留下HBT和需要的半导体材料层；制作HBT集电极和金属互联。2、 根据权利要求l所述的制作异质结双极型晶体管的方法，其特 征在于，所述利用粘附工艺将圆片A粘附到圆片B上之前，进一步包 括采用有机溶剂清洗圆片A和圆片B，并用去离子水冲洗。3、 根据权利要求2所述的制作异质结双极型晶体管的方法，其特 征在于，所述在清洗圆片A和圆片B时，进一步采用超声或兆声的方 法进行清洗。4、 根据权利要求l所述的制作异质结双极型...

【专利技术属性】
技术研发人员：于进勇，刘新宇，金智，程伟，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[]