半导体存储器中形成图案的方法技术

一种在半导体存储器中形成图案的方法，其中在形成于半导体衬底上的目标层上，形成以第一间隔布置的第一间隔物以及以第二间隔布置的第二间隔物。形成掩模图案，以覆盖两个相邻的第二间隔物所界定的目标层的部分。使用第一间隔物、第二间隔物及掩模图案来作为蚀刻掩模，以将目标层图案化，藉以形成至少两个第一图案及至少一个第二图案。在此，第二图案比第一图案宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种形成半导体的方法，且特别是关于一种使用间隔物而 在。
技术介绍
当更高度集成半导体元件时，半导体元件要求高于用以制造图案的光刻设备的解析度(resolution)。例如，虽然使用光刻设备通过单一曝光而可解析 的最小尺寸为45nm，半导体元件却可能需要低于40nm的解析度。因此， 为了克服在形成极细微(ultra-fme)图案时光刻设备的限制，已提出了各种方 法。其中之一就是使用间隔物来形成图案的方法。使用间隔物来形成图案的方法包括在蚀刻目标层上形成预定尺寸的材 料层图案；绕着材料层图案来形成间隔物；以及使用间隔物来作为蚀刻掩模 来蚀刻蚀刻目标层。这样，可形成细微度相当于间隔物的厚度的图案。因此，使用间隔物来形成图案的方法被广泛地应用于在被高度集成的半 导体存储器中形成图案。然而，由于间隔物是无论位置为何，皆形成为相同厚度，所以很难同时 以单一掩模来形成诸如线条/空间的重复的细微图案及大于预定尺寸的图案。 因此，形成重复的细微图案的工艺及形成大于预定尺寸的图案的工艺应该以 不同的掩模来分开执行。因此，有可能发生在掩模之间的未对准 (misalignments换言之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体存储器中形成图案的方法，该方法包括：　在形成于半导体衬底上的目标层上，形成以第一间隔布置的第一间隔物以及以第二间隔布置的第二间隔物；　形成掩模图案，覆盖所述目标层的由相邻的所述第二间隔物所界定的部分；以及　使用所述第一间隔物、所述第二间隔物及所述掩模图案作为蚀刻掩模，通过图案化所述目标层形成至少两个第一图案及至少一个第二图案，　其中，所述第二图案比所述第一图案宽。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔在升，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]