温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种在半导体存储器中形成图案的方法，其中在形成于半导体衬底上的目标层上，形成以第一间隔布置的第一间隔物以及以第二间隔布置的第二间隔物。形成掩模图案，以覆盖两个相邻的第二间隔物所界定的目标层的部分。使用第一间隔物、第二间隔物及掩模图案来作为蚀...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。