氮化铝或氧化铍的陶瓷覆盖晶片制造技术

本发明专利技术的实施例提供一种通过在向腔室中引入清洁剂之前装载包含氮化铝陶瓷晶片或者氧化铍陶瓷晶片的陶瓷覆盖衬底到基座上，用于在清洁操作期间保护基座的方法和装置。在一个实施例中，提供一种氮化铝陶瓷覆盖衬底，该氮化铝陶瓷覆盖衬底包括氮化铝陶瓷晶片，具有大于１６０Ｗ／ｍ－Ｋ的热传导率，从约１１英寸到约１３英寸范围内的直径的圆形几何形状，从约０．０３英寸到约０．０６０英寸范围内的厚度，以及约０．０１０英寸或更小的平整度。热传导率可以是约１８０Ｗ／ｍ－Ｋ、约１９０Ｗ／ｍ－Ｋ或者更大。厚度可以是从约０．０３５英寸到约０．０５０英寸的范围内，以及平整度可以是约０．００８英寸、约０．００６英寸或更小。

【技术实现步骤摘要】

在此描述的实施例涉及一种用于清洁处理腔室的方法和装置。
技术介绍
在化学气相沉积(CVD)工艺期间，反应气体能形成沉积于腔室的内表面 上的化合物。随着这些沉积物累积，残余物能够剥落并污染后续处理步骤。该 残余物沉积还能够对诸如沉积均匀、沉积速度、膜强度等其它处理情况有不利 影响。因此，通常对处理腔室进行周期性清洁以去除残余物质。典型地，在腔室 中执行每个工艺之后或者数个工艺之后使用蚀刻气体来清洁腔室。在较长的时 段后，通常在已处理约1，000—2，000个晶片之后，用手打开腔室并利用清洗水 和清洁擦拭来清洁。显然，为了提高经过处理腔室的晶片的产量，期望所需的 清洁时长最小。采用清洁气体来清洁典型地包含等离子体增强干法清洁(dry cleaning)技 术。这些技术需要单独的工艺步骤，这要求向腔室中导入清洁气体，轰击来自 清洁气体的等离子体，并利用等离子体来去除污染残余物。典型地，氟被用作 清洁气体物种。例如，可以在共同转让的美国专利4,960,488和5,124,958中找 到该清洁工艺的描述，在此引入两者的全部内容作为参考。干法清洁技术操作的缺点在于其造成基座损坏，该基座典型地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化铝陶瓷覆盖衬底，包括：　氮化铝陶瓷晶片，具有大于１６０Ｗ／ｍ－Ｋ的热传导率；　圆形几何形状，包括从约１１英寸到约１３英寸范围内的直径；　从约０．０３英寸到约０．０６０英寸范围内的厚度；以及　约０．０１０英寸或 更小的平整度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德M拉希德，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]